[实用新型]清除主控芯片CMOS的复位电路及装置有效

专利信息
申请号: 202223234841.8 申请日: 2022-12-02
公开(公告)号: CN219246042U 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 陆德艺 申请(专利权)人: 深圳市汇川技术股份有限公司
主分类号: G06F1/24 分类号: G06F1/24;H03K17/22;H03K17/687
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 单家健
地址: 518000 广东省深圳市龙华*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 清除 主控 芯片 cmos 复位 电路 装置
【说明书】:

本申请涉及电路控制技术领域,并公开了一种清除主控芯片CMOS的复位电路及装置,该电路包括:主控芯片电路、控制芯片电路、供电开关电路和供电电源模块;所述供电电源模块分别与所述供电开关电路和所述控制芯片电路连接;所述供电开关电路分别与所述控制芯片电路和所述主控芯片电路连接;所述控制芯片电路与所述主控芯片电路连接,其中,所述控制芯片电路用于控制所述供电开关电路进行供电和控制所述主控芯片电路进行复位。本申请提高了清除主控芯片CMOS的自动化程度。

技术领域

实用新型涉及电路控制技术领域,尤其涉及一种清除主控芯片CMOS的复位电路及装置。

背景技术

传统的清除主控芯片CMOS的复位方式是通过一个物理按键的电路,由人为操作按下物理按键或者直接拆掉RTC(Real-Time Clock,实时时钟芯片)电池,实现清除CMOS功能。

现有清除主控芯片CMOS的复位方式由于需要人为操作,自动化程度低,不方便维护。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提出一种清除主控芯片CMOS的复位电路及装置,旨在如何提高清除主控芯片CMOS的自动化程度。

为实现上述目的,本实用新型提供一种清除主控芯片CMOS的复位电路,所述清除主控芯片CMOS的复位电路包括主控芯片电路、控制芯片电路、供电开关电路和供电电源模块;

所述供电电源模块分别与所述供电开关电路和所述控制芯片电路连接;

所述供电开关电路分别与所述控制芯片电路和所述主控芯片电路连接;所述控制芯片电路与所述主控芯片电路连接,其中,所述控制芯片电路用于控制所述供电开关电路进行供电和控制所述主控芯片电路进行复位。

可选地,所述控制芯片电路包括控制芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻和误触发电路,所述控制芯片包括第一控制端口、第二控制端口、第一接收数据端口、第一发送数据端口和第一电源端口,所述第一电源端口与所述供电电源模块连接,所述第一接收数据端口与所述第一电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端与所述主控芯片电路连接,所述第一发送数据端口与所述第二电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与所述主控芯片电路连接,所述第一控制端口与所述误触发电路连接,所述误触发电路与所述主控芯片电路连接,所述第二控制端口与所述第三电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端与所述供电开关电路连接。

可选地,所述控制芯片为MCU芯片或FPGA芯片。

可选地,所述误触发电路包括第一MOS管、第四电阻和第五电阻,所述第一MOS管的源极与所述第五电阻的第一端和所述第一控制端口连接,所述第一MOS管的漏极与所述主控芯片电路连接,所述第一MOS管的栅极与所述第四电阻的第一端连接,所述第五电阻的第二端和所述第四电阻的第二端与所述供电电源模块连接。

可选地,所述第一MOS管为NMOS管。

可选地,所述主控芯片电路包括主控芯片、二极管、第六电阻和第七电阻,所述主控芯片包括复位端口、第二接收数据端口、第二发送数据端口和第二电源端口,所述第二电源端口与所述供电开关电路连接,所述复位端口与所述二极管的阳极连接,所述二极管的阴极与所述第一MOS管的漏极连接,所述第二接收数据端口与所述第六电阻的第一端连接,所述第六电阻的第二端与所述第二电阻的第二端连接,所述第二发送数据端口与所述第七电阻的第一端连接,所述第七电阻的第二端与所述第一电阻的第二端连接。

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