[实用新型]一种高抗性低应力芯片框架有效

专利信息
申请号: 202223272512.2 申请日: 2022-12-07
公开(公告)号: CN218602426U 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 徐谦;洪继泓 申请(专利权)人: 广东成利泰科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 汕头兴邦华腾专利代理事务所(特殊普通合伙) 44547 代理人: 梁凤德
地址: 515000 广东省汕头*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 抗性 应力 芯片 框架
【权利要求书】:

1.一种高抗性低应力芯片框架,包括上片(1)和下片(9),其特征在于:

所述上片(1)包括上框体(3)、下框体(4)和上片桥堆(2),且上片桥堆(2)设置在上框体(3)与下框体(4)之间,所述下片(9)包括上框体(3)、下框体(4)和下片桥堆(10),且下片桥堆(10)设置在上框体(3)与下框体(4)之间,所述上片桥堆(2)和下片桥堆(10)均设置有至少一个,且上片桥堆(2)和下片桥堆(10)分别在上片(1)和下片(9)上等距设置,所述上片(1)上的上片桥堆(2)与下片(9)上的下片桥堆(10)对应设置;

横向加强筋(5),其设置在所述上片(1)和下片(9)的中间位置处,且横向加强筋(5)与上片(1)和下片(9)设置为一体结构;

第一焊接部(6),其设置在所述上片桥堆(2)的两侧,且第一焊接部(6)与上片桥堆(2)连接为一体结构,所述下片桥堆(10)的两侧均设置有第二焊接部(11),且第二焊接部(11)与下片桥堆(10)连接为一体结构,所述上片桥堆(2)和下片桥堆(10)与毛刺面板(14)相贴合。

2.根据权利要求1所述的一种高抗性低应力芯片框架,其特征在于:所述第一焊接部(6)的下端设置有凸起块(13),且凸起块(13)与第一焊接部(6)设置为一体结构,所述第二焊接部(11)的上端设置有麻点(16),且麻点(16)与第二焊接部(11)设置为一体结构。

3.根据权利要求1所述的一种高抗性低应力芯片框架,其特征在于:所述上片(1)和下片(9)的一个边角上设置有斜口(12),且斜口(12)在上片(1)和下片(9)上对应设置。

4.根据权利要求1所述的一种高抗性低应力芯片框架,其特征在于:所述上框体(3)和下框体(4)上均设置有第一应力孔(7),且第一应力孔(7)在上框体(3)和下框体(4)上等距设置,所述上片(1)和下片(9)上的第一应力孔(7)对应设置,所述第一焊接部(6)和第二焊接部(11)与上片桥堆(2)和下片桥堆(10)的接触处均设置有弧形槽(15),所述弧形槽(15)上设置有第二应力孔(17)。

5.根据权利要求4所述的一种高抗性低应力芯片框架,其特征在于:所述上片(1)的上框体(3)和下框体(4)上均设置有定位孔(8),且定位孔(8)在上片(1)的上框体(3)和下框体(4)上等距设置,所述下片(9)的上框体(3)和下框体(4)上均设置有定位块(18),且定位块(18)在下片(9)的上框体(3)和下框体(4)上等距设置,所述上片(1)上的定位孔(8)和下片(9)上的定位块(18)对应设置。

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