[实用新型]一种显示装置及其像素电路

权利要求书

1.一种像素电路，其特征在于，包括：发光二极管，存储电容，以及驱动晶体管，

所述驱动晶体管的控制端与所述存储电容的一端连接，驱动晶体管的第一导通端接收电源电压；

所述发光二级管的阳极与驱动晶体管的第二导通端连接，所述发光二级管的阴极接收低电压，被配置为响应所述驱动晶体管的第二导通端的电流而发出相应亮度的光，

所述存储电容用于保持在一帧发光周期内所述驱动晶体管的驱动电压，

其中，至少两个所述像素电路中的存储电容区以层叠的方式构成共用电容区。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述共用电容区的长度与所述存储电容区对应。

3.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，多个所述共用电容区的间隔与原始的存储电容区的间隔对应。

4.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述至少两个像素电路中的存储电容区分别位于所述共用电容区的不同金属布线层中。

5.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述至少两个像素电路为相邻的至少两个像素电路。

6.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述驱动晶体管为P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。

7.根据权利要求6所述的像素电路，其特征在于，所述驱动晶体管为P型薄膜晶体管的情形下，所述第一导通端对应所述P型薄膜晶体管的源极，所述第二导通端对应所述P型薄膜晶体管的漏极。

8.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述共用电容区中的单个存储电容与原始存储电容的电容值相差(N-1)*X，其中，N为共用电容区中存储电容区的个数，X为与原始存储电容区的间隔和电容工艺相关的常数。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的像素电路。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为micro OLED显示装置、micro LED显示装置、mini-LED显示装置、LCD显示装置中的任意一种。