[实用新型]碳化硅腐蚀炉

说明书

本实用新型公开了一种碳化硅腐蚀炉，包括：炉体；炉盖，炉盖盖合在炉体上，炉盖内设有腔室，腔室内可活动地设有第一腔门，以将腔室分隔为第一腔体和第二腔体，且第二腔体沿水平方向延伸至炉盖的侧边，以用于由第二腔体取放待测样品，炉盖的侧边设有第二腔门，以关闭第二腔体；盛料件，盛料件设在炉体内；盛料件内用于盛放碱料，待测样品通过第二腔体伸入第一腔体，且与盛料件的位置相对应；加热组件，加热组件设在炉体内，且位于盛料件的底部，以对盛料件进行加热。本实用新型的碳化硅腐蚀炉，无需打开炉盖进行取放样品，有效防止腐蚀液直接外溢，确保腐蚀液与外界大气环境的相对隔离。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅质量表征技术领域，更具体地，涉及一种碳化硅腐蚀炉。

背景技术

碳化硅(SiC)因其禁带宽度大，导热性好，临界击穿电场强度高，电子饱和漂移速度高等物理特性，在高温、大功率器件领域有着巨大的应用潜力。然而，SiC在生长过程中会不可避免地形成各种缺陷，而各种缺陷对SiC器件性能和可靠性则有着不同程度的影响。因此，SiC晶体质量表征对于提高SiC器件性能至关重要。

湿法腐蚀是缺陷表征的主要方法。湿法腐蚀通常是指在腐蚀炉中采用高温熔融的氢氧化钾(KOH)作为腐蚀剂，对碳化硅进行腐蚀。在SiC晶体中，有缺陷的部位存在较大的应力，腐蚀的速度比无缺陷的部位快，从而形成腐蚀坑。而对于不同的位错，形成的腐蚀坑形状及其大小也不一样，所以可以表征SiC晶体的缺陷。

目前，现有的腐蚀炉采用垂直开口设计，取放样时需要开盖(敞口)，对腐蚀液温度的稳定性影响较大，并且由于氢氧化钾蒸汽在开盖过程中，大量外溢，容易对操作人员造成伤害。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供一种碳化硅腐蚀炉的新技术方案，至少能够解决现有技术中的腐蚀炉在取放样时需要开盖，而容易导致氢氧化钾蒸汽外溢，伤害操作人员健康的问题。

本实用新型提供了一种碳化硅腐蚀炉，包括：

炉体；

炉盖，所述炉盖盖合在所述炉体上，所述炉盖内设有腔室，所述腔室内可活动地设有第一腔门，以将所述腔室分隔为第一腔体和第二腔体，且所述第二腔体沿水平方向延伸至所述炉盖的侧边，以用于由所述第二腔体取放待测样品，所述炉盖的侧边设有第二腔门，以关闭所述第二腔体；

盛料件，所述盛料件设在所述炉体内，且所述盛料件的位置与所述第一腔体的位置相对应；所述盛料件内用于盛放碱料，所述待测样品通过所述第二腔体伸入所述第一腔体，且与所述盛料件的位置相对应，以用于对所述待测样品进行性能表征；

加热组件，所述加热组件设在所述炉体内，且位于所述盛料件的底部，以对所述盛料件进行加热。

可选地，所述第二腔体的截面为倒T形，所述第二腔体在所述炉盖的侧边形成倒T形的开口。

可选地，所述炉盖的截面呈方形，所述炉盖的朝向所述炉体的一侧的内壁为斜壁，所述斜壁由所述第一腔体朝向所述第二腔体向上倾斜延伸。

可选地，所述炉盖内设有热电偶，所述热电偶具有镍包裹层，所述热电偶的一端与所述炉盖连接，另一端伸入所述盛料件内，且所述热电偶的高度与所述待测样品在所述第一腔体内的高度齐平。

可选地，所述炉盖内还设有激光测距仪，所述激光测距仪设在所述斜壁上，且所述激光测距仪的位置与所述盛料件的位置相对应。

可选地，所述炉盖内设有第一保温件，所述炉盖的内壁设有镍制保护层。

可选地，所述盛料件为镍坩埚，所述盛料件设有第二保温件。

可选地，所述加热组件包括：

电磁炉模块，所述电磁炉模块设在所述盛料件的底部，以对所述盛料件进行磁感应涡流加热；