[实用新型]一种叠层双芯片封装子结构及多芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 202223526928.2 申请日: 2022-12-28
公开(公告)号: CN218975446U 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 马磊 申请(专利权)人: 成都复锦功率半导体技术发展有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/485;H01L23/488
代理公司: 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 吴桂芝
地址: 610212 四川省成都市中国(四川)*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 叠层双 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种叠层双芯片封装子结构,其特征在于:其由下至上依次包括第一塑封层、第一介质层、第二塑封层和焊盘,第一塑封层内封装有第一芯片,第二塑封层内封装有第二芯片,第一芯片与第二芯片同向设置;

第一芯片的第一面电极经第一重布线件与焊盘连接,第二芯片的第一面电极经第二重布线件与第一重布线件连接;

第一芯片的第二面电极经第三重布线件与焊盘连接,第二芯片的第二面电极与焊盘连接。

2.根据权利要求1所述的一种叠层双芯片封装子结构,其特征在于:所述第一重布线件包括依次连接的第一布线层、第三外侧布线层、第五外侧布线层,第一布线层与第一芯片的第一面电极连接,第五外侧布线层与焊盘连接;

第三外侧布线层贯通第一塑封层与第一介质层设置;第五外侧布线层贯通第二塑封层设置。

3.根据权利要求2所述的一种叠层双芯片封装子结构,其特征在于:所述第一布线层上形成有第三塑封层。

4.根据权利要求3所述的一种叠层双芯片封装子结构,其特征在于:所述第一塑封层和/或第三塑封层和/或第二塑封层为环氧树脂材质的塑封层。

5.根据权利要求1所述的一种叠层双芯片封装子结构,其特征在于:所述第二重布线件为第四重布线层,与第二芯片的第一面电极连接,且第四重布线层与第三外侧布线层连接。

6.根据权利要求5所述的一种叠层双芯片封装子结构,其特征在于:所述第四重布线层封装于第二塑封层内。

7.根据权利要求1所述的一种叠层双芯片封装子结构,其特征在于:所述第三重布线件包括依次连接的第二布线层、第三内侧布线层、第五内侧布线层,第二布线层与第一芯片的第二面电极连接,第五内侧布线层与焊盘连接;

第二布线层、第三内侧布线层均形成于第一介质层内,第五内侧布线层贯通第二塑封层设置。

8.根据权利要求1所述的一种叠层双芯片封装子结构,其特征在于:所述第二塑封层与焊盘间设有第二介质层,第二介质层内设有引脚金属,第三内侧布线层、第三外侧布线层、第五内侧布线层、第五外侧布线层、第二芯片的第二面电极经引脚金属与焊盘连接。

9.根据权利要求1所述的一种叠层双芯片封装子结构,其特征在于:所述第一介质层、第二介质层为Al2O3、SiO2、SiNx、环氧树脂、PI、PBO中任意一种。

10.一种多芯片封装结构,其特征在于:包括若干权利要求1-9任一项所述封装子结构,各封装子结构水平拼接得到多芯片封装结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都复锦功率半导体技术发展有限公司,未经成都复锦功率半导体技术发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202223526928.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top