[实用新型]一种叠层双芯片封装子结构及多芯片封装结构

说明书

本实用新型公开了一种叠层双芯片封装子结构及多芯片封装结构，属于芯片封装技术领域，其由下至上依次包括第一塑封层、第一介质层、第二塑封层和焊盘，第一塑封层、第二塑封层内分别封装有第一芯片、第二芯片；第一芯片的第一面电极经第一重布线件与焊盘连接，第二芯片的第一面电极经第二重布线件与第一重布线件连接；第一芯片的第二面电极经第三重布线件与焊盘连接，第二芯片的第二面电极与焊盘连接。该封装结构无需借助引线框架即可实现至少两颗芯片的互联封装，大大减薄了封装结构体积；叠层设置的两颗芯片的相同电极经重布线件连接后与焊盘连接，经重布线件实现芯片电极互联能够降低封装寄生电阻。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种叠层双芯片封装子结构及多芯片封装结构。

背景技术

传统双芯片封装结构为平面结构，一般是将两颗芯片平行放在引线框架上，通过引线框架实现芯片间的电信号互联(芯片正面通过打线方式连到引线框架的引脚处)，然后通过引线键合的方式实现芯片间的互联。上述封装结构形成的最终产品一般无法做到很薄(包含引线框架厚度)、封装结构尺寸大。

为进一步降低芯片的封装体积，提高产品的功率密度，现有技术提出了基于引线框架设计的叠层芯片封装结构，即将芯片一放置在引线框，将芯片二堆叠至芯片一上进行封装，该封装结构在一定程度降低了封装结构体积，提高了集成度，然而其仍然需要借助引线框架，降低封装体积的性能很有限。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的问题，提供了一种叠层双芯片封装子结构及多芯片封装结构。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种叠层双芯片封装子结构，所述封装子结构由下至上依次包括第一塑封层、第一介质层、第二塑封层和焊盘，第一塑封层内封装有第一芯片，第二塑封层内封装有第二芯片，第一芯片与第二芯片同向设置；

第一芯片的第一面电极经第一重布线件与焊盘连接，第二芯片的第一面电极经第二重布线件与第一重布线件连接；

第一芯片的第二面电极经第三重布线件与焊盘连接，第二芯片的第二面电极与焊盘连接。

在一示例中，所述第一重布线件包括依次连接的第一布线层、第三外侧布线层、第五外侧布线层，第一布线层与第一芯片的第一面电极连接，第五外侧布线层与焊盘连接；

第三外侧布线层贯通第一塑封层与第一介质层设置；第五外侧布线层贯通第二塑封层设置。

在一示例中，所述第一布线层上形成有第三塑封层。

在一示例中，所述第一塑封层和/或第三塑封层和/或第二塑封层为环氧树脂材质的塑封层。

在一示例中，所述第二重布线件为第四重布线层，与第二芯片的第一面电极连接，且第四重布线层与第三外侧布线层连接。

在一示例中，所述第四重布线层封装于第二塑封层内。

在一示例中，所述第三重布线件包括依次连接的第二布线层、第三内侧布线层、第五内侧布线层，第二布线层与第一芯片的第二面电极连接，第五内侧布线层与焊盘连接；

第二布线层、第三内侧布线层均形成于第一介质层内，第五内侧布线层贯通第二塑封层设置。

在一示例中，所述第二塑封层与焊盘间设有第二介质层，第二介质层内设有引脚金属，第三内侧布线层、第三外侧布线层、第五内侧布线层、第五外侧布线层、第二芯片的第二面电极经引脚金属与焊盘连接。

在一示例中，所述第一介质层、第二介质层为Al₂O₃、SiO₂、SiNx、环氧树脂、PI、PBO中任意一种。

需要进一步说明的是，上述封装子结构各示例对应的技术特征可以相互组合或替换构成新的技术方案。