[实用新型]U型立式多功能双面镀膜生产线有效
申请号: | 202223534075.7 | 申请日: | 2022-12-29 |
公开(公告)号: | CN219526783U | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 舒逸;刘光斗;李赞;张巧;袁帅;杨红;欧阳杰 | 申请(专利权)人: | 湖南玉丰真空科学技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C16/54 |
代理公司: | 湖南格创知识产权代理事务所(普通合伙) 43263 | 代理人: | 张文 |
地址: | 411100 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 立式 多功能 双面 镀膜 生产线 | ||
本实用新型公开了一种U型立式多功能双面镀膜生产线,包括平行设置的PVD连续真空生产线和CVD连续真空生产线,PVD连续真空生产线的末端与CVD连续真空生产线的首端通过真空平移室衔接,真空平移室用于将基片从PVD连续真空生产线转移至CVD连续真空生产线,以及真空度切换,真空平移室与PVD连续真空生产线、CVD连续真空生产线对接腔室的连接处分别设置有用于封闭进出口的门阀,且真空平移室通过真空管道连接真空抽气系统,在真空平移室内设置有用于转移基片的平移机构。本实用新型实现了所镀产品多层膜系且不同工艺条件下在真空环境下连续完成,而且实现产品双面镀膜工艺,在满足产品高要求工艺的同时大大提高生产产能。
技术领域
本实用新型涉及真空镀膜技术领域,具体为一种U型立式多功能双面镀膜生产线。
背景技术
真空镀膜的主要工艺有物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。物理气相沉积(PVD),指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。化学气相沉积(CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而制得固体材料的工艺技术。目前镀膜生产线只能单独的实现PVD和CVD工艺的连续真空环境下镀膜,不能同设备下实现两种不同工艺下的真空环境连续镀膜,特别是针对双面镀膜工艺。
发明内容
针对上述现有技术中存在的问题,本实用新型提供一种U型立式多功能双面镀膜生产线,实现了所镀产品多层膜系且不同工艺条件下在真空环境下连续完成,而且实现产品双面镀膜工艺,在满足产品高要求工艺的同时大大提高生产产能。
本实用新型采用的技术方案如下:U型立式多功能双面镀膜生产线,包括PVD连续真空生产线和CVD连续真空生产线,所述PVD连续真空生产线和CVD连续真空生产线平行设置,PVD连续真空生产线的末端与CVD连续真空生产线的首端通过真空平移室衔接,所述真空平移室用于将基片从PVD连续真空生产线转移至CVD连续真空生产线,以及真空度切换,所述真空平移室与PVD连续真空生产线、CVD连续真空生产线对接腔室的连接处分别设置有用于封闭进出口的门阀,且真空平移室通过真空管道连接真空抽气系统,在所述真空平移室内设置有用于转移基片的平移机构。
进一步地,所述PVD连续真空生产线依次包括进片室、缓冲室、过渡室、PVD工艺室、气氛隔离室;所述CVD连续真空生产线依次包括气氛隔离室、CVD工艺室、过渡室、缓冲室、出片室,PVD连续真空生产线和CVD连续真空生产线运行方向相反,并采用独立的真空抽气系统。
进一步地,所述真空平移室整体呈方形,在真空平移室同侧侧壁上开设有基片入口和基片出口,所述平移机构包括平行固定在真空平移室底板上的平移导轨,与平移导轨配合的基片框架传输支架,以及驱动基片框架传输支架沿平移导轨移动的平移驱动装置,所述基片框架传输支架上端固定有磁导向装置,在基片框架传输支架下部对应所述磁导向装置设置有多组输送滚轮,所述多组输送滚轮与固定在基片框架传输支架上的真空电机传动连接,真空电机驱动多组输送滚轮转动并在磁导向装置配合下将基片框架引入或送出基片框架传输支架。
进一步地,所述平移驱动装置包括伺服马达、同步带主动轮、同步带从动轮、同步带,所述同步带主动轮、同步带从动轮分别设置在真空平移室底板上与基片入口和基片出口对应的两侧,所述同步带绕在同步带主动轮、同步带从动轮之间,所述基片框架传输支架底部与同步带固定连接,所述伺服马达固定安装真空平移室底板下方,伺服马达输出端延伸至真空平移室内并通过磁流体密封装置与真空平移室密封连接,伺服马达输出端固定连接有第一伞齿轮,所述同步带主动轮同轴固定连接有与所述第一伞齿轮啮合的第二伞齿轮。
进一步地,在真空平移室底板上对应基片入口和基片出口分别设置有到位传感器。
进一步地,在所述基片框架传输支架底部安装有与所述平移导轨配合的导轮。
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