[实用新型]一种TO-LL封装引线框架及封装结构

说明书

本实用新型公开了一种TO‑LL封装引线框架及封装结构，属于芯片封装领域。该装置包括基岛和引线边框，与所述引线边框相邻的所述基岛通过第一连筋连接至所述引线边框，相邻的两个所述基岛间沿垂直于源极引脚延伸方向上通过第二连筋相连。本实用新型提供一种TO‑LL封装引线框架，通过在相邻的两个基岛间设置第二连筋，以及基岛与引线框架之间的第一连筋，通过第一连筋和第二连筋的设置，使得两者可以提供模具加压顶杆的让位空间，代替现有设计中的压槽，从而无需额外占用基岛面积。本实用新型还提供了一种TO‑LL封装结构，可以有效增大塑封体的封装面积，提高基岛面积的利用率，可以封装更大体积的MOSFET功率芯片。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装领域，特别涉及一种TO-LL封装引线框架及封装结构。

背景技术

传统TO-LL封装型式(如图1和图2所示，传统TO-LL封装体长边二侧有长条形压槽41)。TO-LL的封装工艺工序包含有晶圆切割划片、芯片安装键合、塑封表面处理打印、切筋分离、电性测试和包装入库。传统TO-LL封装体长边二侧有长型压槽的外型结构，所影响的上述工序中包含了芯片安装、芯片塑封以及功能应用等工序与环节。

TO-LL封装体长边二侧有长条形压槽41的外型结构的设计目的，是防止半导体MOSFET功率芯片在塑封过程中，其热固型塑封料会因为在高温(175℃)及高压注塑(≥1000psi)压力的环境下，此时热固型的塑封料在金属模具内，会在高温175℃的作用下，其热固型的塑封料会呈现液态流体状，又因为在高压注塑(≥1000psi)的关系，致使已经形成液态流体状的热固型塑封料，因高压而渗透到半导体MOSFET功率芯片下金属基岛与金属模具中的塑封体模穴底层之间。

如图2所示，其展示了现有技术中TO-LL封装引线框架的结构示意图。其金属基岛对称布置，相邻的两个基岛间，在漏极引脚的位置通过一连接结构相连接，而靠近边框的位置，同样在漏极引脚的位置通过连接结构实现与边框的固定连接。而此时，整个基岛的一侧是悬空的。

为防止半导体MOSFET功率芯片下的金属基岛与金属模具中的塑封体模穴底层之间，不被热固型塑封料渗透，所以特别在传统的TO-LL的封装体长边二侧设计了长条形压槽41，用以在金属塑封模具中的塑封体长边二侧长型凹槽处设计加压顶杆，并利用金属模具的加压顶杆压住芯片下方金属基岛，可使芯片下方金属基岛与金属模具中的塑封体模穴底层能紧密贴合，从而达到防止热固型塑封料不会因高温高压渗透入芯片下方金属基岛与金属模具中的塑封体模穴底层之间形成金属基岛外的溢料。

因金属引线框中的芯片下方的金属基岛需要保留塑封模具的加压顶杆所需要的面积，所以半导体芯片下的金属基岛所剩下能承载半导体MOSFET功率芯片的面积就大大的缩小，直接阻碍了大半导体MOSFET功率芯片的面积、大容量半导体MOSFET功率芯片及大功率半导体MOSFET功率芯片的安装，从而造成传统TO-LL封装体无法应用在需要更高功率或更高容量的终端产品上。

实用新型内容

本实用新型提供一种TO-LL封装引线框架，可以解决现有的TO-LL封装引线框架需要占用部分基岛面积来实现加压的问题。

本实用新型还提供了一种TO-LL封装结构，可以有效提高基岛的利用面积，可以实现更大体积的MOSFET功率芯片的封装。

一种TO-LL封装引线框架，包括基岛和引线边框，与所述引线边框相邻的所述基岛通过第一连筋连接至所述引线边框，相邻的两个所述基岛间沿垂直于源极引脚延伸方向上通过第二连筋相连。

更优地，所述第二连筋为若干个，所述第一连筋与所述第二连筋一一对应，若干所述第二连筋沿所述源极引脚的延伸方向并排布置。

一种包含上述引线框架的TO-LL封装结构，包括塑封体，所述塑封体完全覆盖所述基岛。