[发明专利]覆铜板、包括其的电子元件以及所述覆铜板的制造方法

权利要求书

1.一种覆铜板，包括：

基材结构体，其中底漆层设置于基材的至少一个表面上；以及

含铜层，其设置在所述基材结构体上，

其中，通过X射线衍射(X-ray diffraction；XRD)分析的所述含铜层的[200]方位面的峰强度与[311]方位面的峰强度之比(I_[200]/I_[311])等于或大于2.0。

2.根据权利要求1所述的覆铜板，其中，

所述含铜层的表面的表面粗糙度(R_z)等于或小于0.1μm。

3.根据权利要求1所述的覆铜板，其中，

在25℃下，所述含铜层对于所述基材结构体的剥离强度等于或大于0.80kgf/cm。

4.根据权利要求1所述的覆铜板，其中，

在150℃下热处理2小时后在常温下放置两次30分钟，并在240℃下额外热处理10分钟后测量的所述含铜层对于所述基材结构体的剥离强度等于或大于0.45kgf/cm。

5.根据权利要求1所述的覆铜板，其中，

所述含铜层包括铜晶种层或铜合金晶种层，所述铜合金晶种层包括铜和选自镍、锌、铍和铬中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的覆铜板，其中，

所述含铜层包括铜和镍的铜合金晶种层，

所述铜合金晶种层的深部的镍元素含量高于表面部的镍元素含量。

7.根据权利要求5所述的覆铜板，其中，

在对于所述铜晶种层或铜合金晶种层表面的X射线光电子能谱(X-ray photoelectronspectroscopy；XPS)分析中，所述铜晶种层或铜合金晶种层在结合能为933.58eV至953.98eV区域中满足下式1的峰强度比：

[式1]

I_Cu+Ni/I_Cu≤0.9

在式中，

I_Cu+Ni为铜合金晶种层在结合能为933.58eV至953.98eV的区域中的峰强度，并且

I_Cu为铜晶种层在结合能为933.58eV至953.98eV的区域中的峰强度。

8.根据权利要求5所述的覆铜板，其中，

所述铜晶种层或铜合金晶种层为溅射层。

9.根据权利要求5所述的覆铜板，

其在所述铜晶种层或铜合金晶种层的一个表面上进一步包括金属镀层。

10.根据权利要求1所述的覆铜板，其中，

所述基材为聚亚酰胺基的基材，

所述聚亚酰胺基的基材在20GHz的频率下具有等于或小于3.4的介电常数(D_k)和等于或小于0.007的介电损耗(D_f)。

11.根据权利要求10所述的覆铜板，其中，

所述聚亚酰胺基的基材在28GHz的频率下具有等于或小于3.3的介电常数(D_k)和等于或小于0.005的介电损耗(D_f)。

12.根据权利要求10所述的覆铜板，其中，

所述聚亚酰胺基的基材在28GHz的频率下具有等于或小于0.8dB/cm的传输损耗。

13.根据权利要求1所述的覆铜板，其中，

所述基材的厚度为5μm至100μm。