[发明专利]半导体装置制造用粘合带在审
| 申请号： | 202280006985.1 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN116323194A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 内田德之;后藤琢真 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/00 | 分类号： | B32B27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 粘合 | ||
1.一种半导体装置制造用粘合带，其特征在于，依次具有基材、烧蚀层、阻隔层和第1粘合剂层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述基材为树脂膜。
3.根据权利要求2所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述树脂膜为聚酯膜。
4.根据权利要求1、2或3所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述烧蚀层在波长365nm处的紫外线吸收率为90％以上。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述烧蚀层在23℃时的储能模量G’为1×104Pa以上且2×105Pa以下。
6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述阻隔层的厚度为25μm以下。
7.根据权利要求6所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述阻隔层的厚度为6μm以下。
8.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述阻隔层为聚酯膜。
9.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述阻隔层在与所述第1粘合剂层接触的面具有易粘接树脂层。
10.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述第1粘合剂层的断裂强度为1MPa以上。
11.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9或10所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述第1粘合剂层在23℃时的储能模量G’为1×104Pa以上且2×105Pa以下。
12.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述第1粘合剂层含有A-B-A型嵌段共聚物。
13.根据权利要求12所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述A-B-A型嵌段共聚物中，嵌段A含有来自于芳香族乙烯基单体的结构，嵌段B含有来自于(甲基)丙烯酸系单体的结构。
14.根据权利要求12或13所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述嵌段B具有来自于含交联性官能团的单体的结构。
15.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述第1粘合剂层的凝胶分率为70重量％以上且95重量％以下。
16.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述第1粘合剂层的厚度为5μm以上且30μm以下。
17.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15或16所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述半导体装置制造用粘合带的滚球初粘力为No.5以上。
18.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16或17所述的半导体装置制造用粘合带，其特征在于，所述半导体装置制造用粘合带的所述第1粘合剂层的面剥离力为1MPa以下。
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