[发明专利]半导体装置制造用粘合带

说明书

本发明的目的在于提供一种芯片部件的剥离性能优异、且能够抑制向芯片部件的残胶的半导体装置制造用粘合带。本发明为依次具有基材、烧蚀层、阻隔层和第1粘合剂层的半导体装置制造用粘合带。

技术领域

本发明涉及半导体装置制造用粘合带。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，有时将配置于粘合剂层上的多个芯片部件转印至驱动电路基板上。

例如，微型LED显示器是如下的显示装置：一个个构成像素的芯片为微细的发光二极管(LED，Light Emitting Diode)芯片、该微型LED芯片自发光而显示图像的显示装置。微型LED显示器的对比度高、响应速度快，另外，由于不需要液晶显示器、有机EL显示器等中使用的滤色器等从而还能够薄型化，所以作为下一代的显示装置而备受关注。在微型LED显示器中，多个微型LED芯片呈平面状高密度地铺满。

在这样的微型LED显示器等半导体器件的制造工序中，例如，使在粘合剂层上配置有多个芯片部件的转印用层叠体与驱动电路基板相向，使芯片部件从转印用层叠体剥离而与驱动电路基板进行电连接(转印工序)。

作为从转印用层叠体剥离芯片部件的方法，例如，已知有从转印用层叠体的支撑体的背面将焦点对准粘合剂层而照射激光的方法(例如专利文献1)。这样的方法也被称为激光烧蚀(laser ablation)。另外，还已知如下方法：在粘合剂层中配合热膨胀性粒子、热膨胀性微囊等，通过转印用层叠体与驱动电路基板的热压接而使热膨胀性粒子、热膨胀性微囊等热膨胀，由此，通过由粘合剂层的变形引起的粘接面积降低而使芯片部件剥离(例如专利文献2、3)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-138949号公报

专利文献2：日本特开2019-15899号公报

专利文献3：日本特开2003-7986号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在以往的使芯片部件剥离的方法中，存在由于芯片部件的剥离不良而难以成品率良好地转印芯片部件的问题。

另外，在使用以往的粘合剂层进行激光烧蚀的情况下，还存在粘合剂层的残渣附着于芯片部件的问题。即，例如，虽然能够通过提高激光的输出功率等利用激光烧蚀使芯片部件剥离，但有时在芯片部件剥离时粘合剂层破裂，粘合剂层的残渣附着于芯片部件。

本发明的目的在于，提供一种芯片部件的剥离性能优异、且能够抑制向芯片部件的残胶的半导体装置制造用粘合带。

用于解决课题的手段

本公开1为一种半导体装置制造用粘合带，其依次具有基材、烧蚀层、阻隔层和第1粘合剂层。

本公开2为根据本公开1的半导体装置制造用粘合带，其中，上述基材为树脂膜。

本公开3为根据本公开2的半导体装置制造用粘合带，其中，上述树脂膜为聚酯膜。

本公开4为根据本公开1、2或3的半导体装置制造用粘合带，其中，上述烧蚀层在波长365nm处的紫外线吸收率为90％以上。

本公开5为根据本公开1、2、3或4的半导体装置制造用粘合带，其中，上述烧蚀层在23℃时的储能模量G’为1×10⁴Pa以上且2×10⁵Pa以下。

本公开6为根据本公开1、2、3、4或5的半导体装置制造用粘合带，其中，上述阻隔层的厚度为25μm以下。

本公开7为根据本公开6的半导体装置制造用粘合带，其中，上述阻隔层的厚度为6μm以下。