[发明专利]一种掺镁氧化亚硅复合负极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种掺镁氧化亚硅复合材料的制备方法，包括以下步骤：

(1)按一定质量比称取氧化亚硅细粉和金属镁粉，混合均匀，高温烧结，对烧结后的物质进行破碎，得到前驱体1；

(2)在前驱体1表面包覆一层二氧化硅，得到前驱体2；

(3)将前驱体2在一定温度下通入碳源气体和惰性气体对其进行CVD碳包覆，得到前驱体3；

(4)利用一定浓度和一定量的HF溶液对前驱体3进行刻蚀，经过过滤、洗涤至中性后干燥，得到掺镁的氧化亚硅复合材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤(1)中，氧化亚硅细粉的粒径满足0.5um≤D50≤2um，金属镁粉粒径满足0.5um≤D50≤2um。

进一步的，所述镁粉和氧化亚硅细粉质量比为(1～5)：(19～28)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，步骤(1)中，烧结过程为：以3℃/min～5℃/min的升温速度由室温升高至300℃～500℃，保温1h～3h，再以5℃/min～8℃/min的升温速度升高至950℃～1100℃，保温1h～3h，最后以1℃/min～3℃/min的升温速度升高到1200℃～1500℃，保温3h～24h。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其中，步骤(1)中，前驱体1的粒径满足4um≤D50≤8um。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其中，步骤(3)中，所述碳源气体为甲烷、乙炔、天然气中的一种或几种，

所述惰性气体为氮气、氩气、氦气、氖气中的一种或几种，

优选的，碳源气体与惰性气体的体积流速之比为(1～5)：(19～28)，总气流速为0.4L/min-1.5L/min。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其中，步骤(3)中，CVD碳包覆温度为750℃～950℃，保温时间为2h～5h。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其中，步骤(4)中，所述HF溶液的浓度为4mol/L-8mol/L，刻蚀时间为0.5h-2h；

优选的，HF溶液的质量与前驱体3的质量比为(1～4)：(1～2)。

8.根据权利要求1-7任一项所述方法制备的掺镁氧化亚硅复合材料。

9.根据权利要求8所述掺镁氧化亚硅复合材料作为锂离子电池负极材料的应用。