[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

位线结构，在基底上；

下接触塞，在基底的与位线结构邻近的部分上；

上接触塞，包括下接触塞上的第一金属图案和接触第一金属图案的上表面和上侧壁的第二金属图案；以及

电容器，在上接触塞上，

其中，第一金属图案的上表面相对于基底的上表面在位线结构的上表面上方。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一金属图案的上表面是平坦的。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

阻挡图案，覆盖第一金属图案的下表面和下侧壁。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第二金属图案的下表面接触阻挡图案的上表面。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，阻挡图案的上表面具有恒定高度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

间隔结构，在位线结构的侧壁上，

其中，第二金属图案的下表面接触位线结构的上表面和间隔结构的上表面。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，第二金属图案具有上部和下部，上部具有第一宽度，并且下部具有比第一宽度大的第二宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，位线结构包括堆叠在基底上的导电结构和绝缘结构。

9.一种半导体装置，包括：

位线结构，在基底上；

下接触塞，在基底的与位线结构邻近的部分上；

上接触塞，包括下接触塞上的第一金属图案、覆盖第一金属图案的下表面和下侧壁的阻挡图案、和接触第一金属图案的上表面和上侧壁以及阻挡图案的上表面的第二金属图案；以及

电容器，在上接触塞上，

其中，阻挡图案的上表面是平面的。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，第一金属图案的上表面是平坦的。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括：

间隔结构，在位线结构的侧壁上，

其中，第二金属图案的下表面接触位线结构的上表面和间隔结构的上表面。

12.根据权利要求9至11中的任意一项所述的半导体装置，其中，第二金属图案具有上部和下部，上部具有第一宽度，下部具有比第一宽度大的第二宽度。

13.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，第一金属图案的上表面相对于基底的上表面在位线结构的上表面上方。

14.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，位线结构包括堆叠在基底上的导电结构和绝缘结构。

15.一种半导体装置，包括：

有源图案，在基底上；

栅极结构，掩埋在有源图案的上部中，栅极结构在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；

位线结构，在有源图案的中心上表面上，并且在与基底的上表面平行并且与第一方向垂直的第二方向上延伸；

间隔结构，在位线结构的侧壁上；

接触塞结构，在有源图案的相对端部中的每个上；以及

电容器，在接触塞结构上，

其中，接触塞结构包括：

下接触塞，

金属硅化物图案，在下接触塞上，

阻挡图案，在金属硅化物图案上，

第一金属图案，第一金属图案的下表面和下侧壁由阻挡图案覆盖；和

第二金属图案，接触第一金属图案的上表面和上侧壁以及位线结构和间隔结构的上表面，并且

其中，第一金属图案的上表面相对于基底的上表面在位线结构的上表面上方。