[发明专利]半导体装置

说明书

提供半导体装置。所述半导体装置包括：位线结构，在基底上；下接触塞，在基底的与位线结构邻近的部分上；上接触塞，包括下接触塞上的第一金属图案和接触第一金属图案的上表面和上侧壁的第二金属图案；以及电容器，在上接触塞上。第一金属图案的上表面相对于基底的上表面在位线结构的上表面上方。

本申请要求于2022年1月18日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0007026号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

一些示例实施例涉及半导体装置。例如，一些示例实施例涉及DRAM装置。

背景技术

当DRAM装置被生产时，下接触塞可形成在位线结构之间，上接触塞层可形成在下接触塞上，并且上接触塞层的上部可被部分地蚀刻以形成用作电容器的接地垫的上接触塞。

随着DRAM装置的集成度增大，位线结构之间的距离可减小，因此用于蚀刻上接触塞层以形成上接触塞的工艺裕度可减小。

发明内容

一些示例实施例提供具有改善的特性的半导体装置。

根据各种示例实施例，存在一种半导体装置。所述半导体装置可包括：位线结构，在基底上；下接触塞，在基底的与位线结构邻近的部分上；上接触塞，包括下接触塞上的第一金属图案和接触第一金属图案的上表面和上侧壁的第二金属图案；以及电容器，在上接触塞上。第一金属图案的上表面可相对于基底的上表面高于位线结构的上表面或者在位线结构的上表面上方。

根据各种示例实施例，存在一种半导体装置。所述半导体装置可包括：位线结构，在基底上；下接触塞，在基底的一部分上并且邻近于位线结构；上接触塞，在下接触塞上并且包括第一金属图案、覆盖第一金属图案的下表面和下侧壁的阻挡图案，上接触塞还包括接触第一金属图案的上表面和上侧壁以及阻挡图案的上表面的第二金属图案；以及电容器，在上接触塞上。阻挡图案的上表面可以是平面的。

根据一些示例实施例，存在一种半导体装置。所述半导体装置可包括：有源图案，在基底上；栅极结构，掩埋在有源图案的上部中，并且在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；位线结构，在有源图案的中心上表面上，并且在与基底的上表面平行并且与第一方向垂直的第二方向上延伸；间隔结构，在位线结构的侧壁上；接触塞结构，在有源图案的相对端部中的每个上；以及电容器或其他存储器结构，在接触塞结构上。接触塞结构可包括：下接触塞；金属硅化物图案，在下接触塞上；阻挡图案，在金属硅化物图案上；第一金属图案，第一金属图案的下表面和下侧壁由阻挡图案覆盖；和第二金属图案，接触第一金属图案的上表面和上侧壁以及位线结构和间隔结构的上表面。第一金属图案的上表面可相对于基底的上表面高于位线结构的上表面或者在位线结构的上表面上方。

在根据各种示例实施例的生产半导体装置的方法中，位线结构之间的分别电连接到电容器的上接触塞可通过在下接触塞上形成下金属图案并且通过大马士革工艺形成上金属图案以接触下金属图案的上表面和上侧壁而被制造。因此，用作接地垫的上金属图案和电连接到源极/漏极区域的下接触塞上的下金属图案可不彼此间隔开，而是可彼此良好地连接。

附图说明

图1至图18是示出根据各种示例实施例的生产半导体装置的方法的平面图和截面图。

图19和图20是示出根据各种示例实施例的生产半导体装置的方法的截面图。

具体实施方式