[发明专利]光刻掩膜板

权利要求书

1.一种光刻掩膜板，其特征在于，所述光刻掩膜板包括：

掩膜板基体，具有第一表面，且所述第一表面中具有掩膜图形，所述掩膜图形用于采用光刻工艺传递至晶圆上；

光罩结构，设置于所述掩膜板基体的具有所述第一表面的一侧，与所述第一表面接触的至少部分所述光罩结构具有电导性，以使所述光罩结构和部分所述第一表面构成封闭区域，所述掩膜图形位于所述封闭区域中的所述第一表面中。

2.根据权利要求1所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述光罩结构包括：

导电框架，所述导电框架与所述第一表面接触设置，且所述导电框架环绕设置于所述掩膜图形的外侧；

保护膜，所述保护膜设置于所述导电框架远离所述掩膜板基体的一侧，以使所述保护膜、所述导电框架以及部分所述第一表面构成封闭区域，所述掩膜图形位于所述封闭区域中的所述第一表面中；

粘合层，所述粘合层位于所述导电框架与所述保护膜之间。

3.根据权利要求2所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述导电框架包括金属支撑部，所述金属支撑部用于支撑所述保护膜。

4.根据权利要求3所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述导电框架还包括：

非金属支撑部，所述非金属支撑部位于所述金属支撑部与所述第一表面之间，并与所述第一表面接触设置，所述非金属支撑部的材料包括导电胶。

5.根据权利要求3所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述导电框架还包括第一导电胶层，所述第一导电胶层层至少覆盖部分所述金属支撑部的侧壁，且所述第一导电胶层与所述第一表面接触设置。

6.根据权利要求5所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述金属支撑部包括：

第一支撑段，与所述第一表面接触设置，所述第一导电胶层环绕所述第一支撑段的侧壁设置；

第二支撑段，位于所述第一支撑段远离所述第一表面的一侧。

7.根据权利要求6所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述第一支撑段在所述第一表面上具有第一投影，所述第二支撑段在所述第一表面上具有第二投影，所述第一投影位于所述第二投影中。

8.根据权利要求7所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述第一投影与所述第二投影的几何中心相同。

9.根据权利要求6所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述第二支撑段在所述第一表面上具有第二投影，所述第一导电胶层在所述第一表面上具有第三投影，所述第三投影位于所述第二投影中。

10.根据权利要求1至9中任一项所述光刻掩膜板，其特征在于，所述第一表面的一侧具有防静电环形凹槽，所述防静电环形凹槽围绕设置于所述掩膜图形的周围。

11.根据权利要求10所述光刻掩膜板，其特征在于，所述光罩结构在所述第一表面上的投影至少部分位于所述防静电环形凹槽中。

12.根据权利要求11所述光刻掩膜板，其特征在于，所述掩膜板基体具有与所述第一表面相对的第二表面，所述防静电环形凹槽在所述第二表面上的投影为第四投影，所述第四投影具有内环和外环，所述内环和所述外环在拐角为圆角。

13.根据权利要求2至9中任一项所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述保护膜的透光率大于或等于99％。

14.根据权利要求2至9中任一项所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述导电框架与所述掩膜图形之间具有最小间距，所述最小间距大于或等于6mm。

15.根据权利要求14所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述掩膜板基体中还包括对准标识，所述对准标识位于所述光罩结构远离所述掩膜图形的一侧，所述导电框架位于所述对准标识和所述掩膜图形之间。