[发明专利]光刻掩膜板

说明书

本发明提供了一种光刻掩膜板。该光刻掩膜板包括掩膜板基体，该掩膜板基体具有第一表面，且第一表面中具有掩膜图形，该掩膜图形用于采用光刻工艺传递至晶圆上；光罩结构，该光罩结构设置于掩膜板基体的具有第一表面的一侧，与第一表面接触的至少部分光罩结构具有电导性，以使光罩结构和部分第一表面构成封闭区域，上述掩膜图形位于封闭区域中的第一表面中。从而使得在静电放电的情况下，静电能够沿着该光罩结构传输至远离掩膜图形的一侧，从而避免了静电对掩膜图形的损害。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种光刻掩膜板。

背景技术

在半导体集成电路制造技术中，要实现版图到晶圆的一个关键部分就是光罩，光罩的好坏直接影响曝光结果，进而影响最终半导体器件的良率。而随着半导体工艺技术的不断发展，关键尺寸越来越小，光罩上图形区域的间距也越来越小，而由于日常存储及使用过程不当，会导致光罩上金属层的静电累计，当静电累计到一定程度后，而又由于光罩金属层上不相连的区域之间间距较小，便容易产生尖端静电放电的情况，从而导致掩膜版上图形的损坏。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种光刻掩膜版，以解决现有技术中半导体集成电路制造技术中光罩静电风险大的问题。

为了实现上述目的，提供了一种光刻掩膜板，光刻掩膜板包括：掩膜板基体，具有第一表面，且第一表面中具有掩膜图形，掩膜图形用于采用光刻工艺传递至晶圆上；光罩结构，设置于掩膜板基体的具有第一表面的一侧，与第一表面接触的至少部分光罩结构具有电导性，以使光罩结构和部分第一表面构成封闭区域，掩膜图形位于封闭区域中的第一表面中。

进一步地，光罩结构包括：导电框架，导电框架与第一表面接触设置，且导电框架环绕设置于掩膜图形的外侧；保护膜，保护膜设置于导电框架远离掩膜板基体的一侧，以使保护膜、导电框架以及部分第一表面构成封闭区域，掩膜图形位于封闭区域中的第一表面中；粘合层，粘合层位于导电框架与保护膜之间。

进一步地，导电框架包括金属支撑部，金属支撑部用于支撑保护膜。

进一步地，导电框架还包括：非金属支撑部，非金属支撑部位于金属支撑部与第一表面之间，并与第一表面接触设置，非金属支撑部的材料包括导电胶。

进一步地，导电框架还包括第一导电胶层，第一导电胶层层至少覆盖部分金属支撑部的侧壁，且第一导电胶层与第一表面接触设置。

进一步地，金属支撑部包括：第一支撑段，与第一表面接触设置，第一导电胶层环绕第一支撑段的侧壁设置；第二支撑段，位于第一支撑段远离第一表面的一侧。

进一步地，第一支撑段在第一表面上具有第一投影，第二支撑段在第一表面上具有第二投影，第一投影位于第二投影中。

进一步地，第一投影与第二投影的几何中心相同。

进一步地，第二支撑段在第一表面上具有第二投影，第一导电胶层在第一表面上具有第三投影，第三投影位于第二投影中。

进一步地，第一表面的一侧具有防静电环形凹槽，防静电环形凹槽围绕设置于掩膜图形的周围。

进一步地，光罩结构在第一表面上的投影至少部分位于防静电环形凹槽中。

进一步地，掩膜板基体具有与第一表面相对的第二表面，防静电环形凹槽在第二表面上的投影为第四投影，第四投影具有内环和外环，内环和外环在拐角为圆角。

进一步地，保护膜的透光率大于或等于99％。

进一步地，导电框架与掩膜图形之间具有最小间距，最小间距大于或等于6mm。

进一步地，掩膜板基体中还包括对准标识，对准标识位于光罩结构远离掩膜图形的一侧，导电框架位于对准标识和掩膜图形之间。