[发明专利]半导体刻蚀设备用气体喷射器的清洗装置有效

专利信息
申请号: 202310010381.0 申请日: 2023-01-05
公开(公告)号: CN115672850B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 唐占银;高赛魁 申请(专利权)人: 无锡卓瓷科技有限公司
主分类号: B08B3/04 分类号: B08B3/04;B08B3/08;B08B13/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 刻蚀 备用 气体 喷射器 清洗 装置
【说明书】:

本发明公开了半导体刻蚀设备用气体喷射器的清洗装置,包括储液箱、位于储液箱上方的冲洗箱、位于储液箱和冲洗箱的下方泄漏箱、位于冲洗箱内部的出液箱、分流管、球阀、夹具和位于泄漏箱内部的水泵、过滤器;储液箱与水泵的进口端相连通,水泵的出口端与过滤器的进口端相连通,过滤器的出口端与出液箱的进口端相连通,分流管的进口端与出液箱远离出液箱的进口端的一侧相连通,分流管的出口端固定设有球阀,夹具内部固定设有一个气体喷射器,夹具固定位于球阀的出口端,冲洗箱出口端与储液箱相连通。本发明具有安装方便、控制清洗水流速度、可多个气体喷射器同时清洗、能耗低、可针对气体喷射器的第一孔与第二孔进行冲刷的优点。

技术领域

本发明涉及精密零部件清洗领域,特别涉及一种半导体刻蚀设备用气体喷射器清洗装置。

背景技术

目前,授权公告号为“CN1207761C”的中国专利公开了一种气体喷射器,包括:陶瓷材料块,该陶瓷材料块具有第一圆柱形部分以及从第一圆柱形部分伸出的第二圆柱形部分,第二圆柱形部分的外径小于第一圆柱形部分的外径,第二圆柱形部分的长度小于第一圆柱形部分的长度;和气体喷射部分,包括穿过所述陶瓷材料块的第一圆柱形部分延伸的多个第一孔和穿过陶瓷材料块的第二圆柱形部分延伸的多个第二孔,第二孔的直径小于第一孔的直径,第二孔的轴向长度小于第一孔的轴向长度,每个第二孔分别从一个对应的第一孔中伸出并与第一孔同心,其中气体喷射器是设置在处理室的上部的多个气体喷射器中的一个,所述多个气体喷射器互相间隔,用于将蚀刻气体喷射到处理室中以蚀刻衬底上的薄膜,第一孔和第二孔平行于第一圆柱形部分和第二圆柱形部分的轴向延伸。

该陶瓷材料块在加工时,其第一孔与第二孔内含有部分碎渣,以及第一孔与第二孔的内壁不平滑,因此半导体刻蚀设备使用前,首先要对加工完成的气体喷射器进行药洗,达到清除碎屑和使第一孔与第二孔的内壁光滑,减小微小颗粒对晶圆制造过程的污染,且达到精准控制半导体刻蚀设备的气体流量的效果。

现有的气体喷射器清洗是将气体喷射器放入清洗池中浸泡,利用清洗池中的药水配合超声波清洗器对气体喷射器进行清洗,随后对清洗池中的药水进行循环过滤,但是,气体喷射器放置在清洗池中时,仅仅是通过浸泡和超声波清洗器仅仅可以将第一孔与第二孔的碎屑去除,无法对第一孔与第二孔进行冲刷,而且,即使药水处在一边循环过滤一边对气体喷射器进行清洗,进而无法保证第一孔与第二孔的内壁光滑,最终影响气体喷射器的使用效果。

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体刻蚀设备用气体喷射器清洗装置,具有安装方便、控制清洗水流速度、可多个气体喷射器同时清洗、能耗低、可针对气体喷射器的第一孔与第二孔进行冲刷,达到大于0.2微米的颗粒数小于1000颗每平方厘米,使气体喷射器达到5nm芯片制程的颗粒控制要求的优点。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:

半导体刻蚀设备用气体喷射器的清洗装置,包括储液箱、位于储液箱上方的冲洗箱、位于储液箱和冲洗箱下方的泄漏箱、位于冲洗箱内部的出液箱、分流管、球阀、夹具和位于泄漏箱内部的水泵、过滤器;

所述储液箱与水泵的进口端相连通,所述水泵的出口端与过滤器的进口端相连通,所述过滤器的出口端与出液箱的进口端相连通,所述分流管的进口端与出液箱远离出液箱的进口端的一侧相连通,所述分流管的出口端固定设有球阀,所述夹具内部固定设有一个气体喷射器,所述夹具固定位于球阀的出口端,所述冲洗箱出口端与储液箱相连通;

所述夹具包括呈圆筒状的第一固定件、第二固定件和第三固定件,所述第二固定件的外径与第三固定件的外径一致,所述第三固定件一端与球阀的出口端固定连接,所述气体喷射器固定位于第二固定件内部,所述第二固定件位于的第一固定件的内部,所述第一固定件与第三固定件固定连接,所述第三固定件远离球阀出口端的一端与第二固定件相抵。

其中优选方案如下:

优选的:所述球阀的出口端处固定设有连接管,所述连接管与第三固定件固定连接。

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