[发明专利]一种低压差线性稳压器在审

专利信息
申请号: 202310011036.9 申请日: 2023-01-05
公开(公告)号: CN116382399A 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 宋晓亮;贾舒方;吴晨烨;徐映嵩;陈灿灿 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 低压 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括差分放大器A2、PMOS调整管MP2、极点调整模块、补偿电容CM2、负载电容CL2、电阻R21和电阻R22;其中,

所述PMOS调整管MP2的源极与电源电压VDD相连,所述电阻R21和电阻R22串联于PMOS调整管MP2的漏极和地之间;

所述差分放大器A2的正向输入端连接于电阻R21和电阻R22之间,负向输入端连接参考电压VREF2;

所述极点调整模块连接于差分放大器A2的输出端和PMOS调整管MP2的栅极之间,所述补偿电容CM2的第一端连接极点调整模块,第二端连接PMOS调整管MP2的漏极,所述低压差线性稳压器的输出端VOUT与所述PMOS调整管MP2的漏极、所述负载电容CL2的第一端相连接,所述负载电容CL2的第二端和地相连接。

2.如权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述极点调整模块包括PMOS管MP21、PMOS管MP22、PMOS管MP23、NMOS管MN21以及NMOS管MN22;其中,

PMOS管MP21、MP22、MP23的源极均和电源电压VDD相连,NMOS管MN21和MN22的源极均和地相连;

PMOS管MP21的栅极和漏极短接并和差分放大器A2的输出端VA2、PMOS管MP22的栅极连接在一起;PMOS管MP21和PMOS管MP22构成电流镜结构;

NMOS管MN21的栅极和漏极短接并和PMOS管MP22的漏极、NMOS管MN22的栅极连接在一起,形成节点Q1;NMOS管MN21和NMOS管MN22构成电流镜结构;

PMOS管MP23的栅极和漏极短接并和NMOS管MN22的漏极、所述PMOS调整管MP2的栅极、所述补偿电容CM2的第一端连接在一起,形成节点Q2;所述节点Q2控制PMOS调整管MP2的栅极电压,进而控制负载电流。

3.如权利要求2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述PMOS管MP21和所述PMOS管PMOS管MP22的尺寸相同。

4.如权利要求2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述PMOS管MP23的尺寸远小于所述PMOS调整管MP2的尺寸。

5.如权利要求2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述NMOS管MN21和所述NMOS管MN22的尺寸成比例。

6.如权利要求2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述负载电容CL2的电容值为0。

7.如权利要求2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述低压差线性稳压器为无电容型LDO电路。

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