[发明专利]一种低压差线性稳压器在审

专利信息
申请号: 202310011036.9 申请日: 2023-01-05
公开(公告)号: CN116382399A 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 宋晓亮;贾舒方;吴晨烨;徐映嵩;陈灿灿 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 低压 线性 稳压器
【说明书】:

发明公开一种低压差线性稳压器,属于电源管理领域。本发明的低压差线性稳压器包括如下部分:差分放大器A1、PMOS调整管MP2、极点调整模块、电阻R21和电阻R22以及补偿电容CM2;其中,电阻R21和电阻R22串联于PMOS调整管MP2的漏极和地之间,差分放大器A2的正向输入端连接于电阻R21和电阻R22之间,差分放大器A2的负向输入端外接参考电压,极点调整模块连接于差分放大器A2的输出端、PMOS调整管MP2的栅极之间,补偿电容CM2连接于极点调整模块和PMOS调整管MP2的漏极之间,低压差线性稳压器的输出端与PMOS调整管MP2的漏极相连接。本发明通过加入极点调整模块,利用电流镜使得主极点能够跟随次极点同时随着负载电流的变化而移动,从而提高了稳定性。

技术领域

本发明涉及电源管理技术领域,特别涉及一种低压差线性稳压器。

背景技术

低压差线性稳压器(LDO)可以提供接近输入电压的稳定输出电压,为芯片提供电源,目前已广泛应用于电源管理芯片中。传统的低压差线性稳压器一般由差分放大器、MOS调整管、电阻反馈回路等组成;另外,传统的低压差线性稳压器还包括旁路电容、以及用于实现补偿效果的补偿电容等,从而实现电路的稳定性。

如图1所示为常用的带补偿电容的LDO电路结构示意图,具体包括差分放大器A1、PMOS调整管MP1、补偿电容CM1、负载电容CL1、电阻R11和电阻R12;其中,PMOS调整管MP1的源极与电源电压VDD相连,电阻R11和电阻R12串联于PMOS调整管MP1的漏极和地之间,差分放大器A1的正向输入端连接于电阻R11和电阻R12之间,差分放大器A1的负向输入端连接参考电压VREF1,差分放大器A1的输出端连接PMOS调整管MP1的栅极,补偿电容CM1连接于PMOS调整管MP1栅极和漏极之间,所述LDO电路的输出端VOUT与PMOS调整管MP1漏极和负载电容CL1的一端相连接,负载电容CL1的另一端和地相连,负载电容CL1的电容值可以为0。

传统的LDO电路通过补偿电容CM1,以极点分裂的方式将主极点和次极点分开,主极点由差分放大器A1的输出阻抗、补偿CM1电容以及寄生电容决定,次极点由输出阻抗和输出电容CL1决定,通常会将次极点设计在环路带宽之外,然而在负载电流逐渐增大的情况下,次极点随着电流的增加向高频移动,而主极点未能很好的跟随次极点,因此造成LDO电路的环路稳定性变差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低压差线性稳压器,以解决现有LDO电路在负载电流变大时不稳定的问题。

为解决上述技术问题,本发明提供了一种低压差线性稳压器,包括差分放大器A2、PMOS调整管MP2、极点调整模块、补偿电容CM2、负载电容CL2、电阻R21和电阻R22;其中,

所述PMOS调整管MP2的源极与电源电压VDD相连,所述电阻R21和电阻R22串联于PMOS调整管MP2的漏极和地之间;

所述差分放大器A2的正向输入端连接于电阻R21和电阻R22之间,负向输入端连接参考电压VREF2;

所述极点调整模块连接于差分放大器A2的输出端和PMOS调整管MP2的栅极之间,所述补偿电容CM2的第一端连接极点调整模块,第二端连接PMOS调整管MP2的漏极,所述低压差线性稳压器的输出端VOUT与所述PMOS调整管MP2的漏极、所述负载电容CL2的第一端相连接,所述负载电容CL2的第二端和地相连接。

在一种实施方式中,所述极点调整模块包括PMOS管MP21、PMOS管MP22、PMOS管MP23、NMOS管MN21以及NMOS管MN22;其中,

PMOS管MP21、MP22、MP23的源极均和电源电压VDD相连,NMOS管MN21和MN22的源极均和地相连;

PMOS管MP21的栅极和漏极短接并和差分放大器A2的输出端VA2、PMOS管MP22的栅极连接在一起;PMOS管MP21和PMOS管MP22构成电流镜结构;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所,未经中国电子科技集团公司第五十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310011036.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top