[发明专利]一种降低碳化硅外延基平面位错的方法在审
| 申请号： | 202310012618.9 | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN116288733A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 殷祥凯;侯晓蕊;李天;魏汝省;李斌;王光耀;杨牧轩;潘琳茹;田蕾;张峰;张馨丹;靳霄曦 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B33/00;C30B25/18;C30B25/20;C30B29/36 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 张敏;崔雪花 |
| 地址： | 030006 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 碳化硅 外延 平面 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低碳化硅外延基平面位错的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）将碳化硅晶体衬底进行研磨、机械抛光工艺；
2）之后将衬底表面覆盖一层碳膜之后进行退火处理或将衬底在氩气气氛中进行退火处理，释放厚度去除时所残留的加工应力；所述退火处理的保温时间为3-4小时；
3）退火后，覆盖碳膜的衬底将碳膜去除之后进行化学机械抛光；在氩气气氛中退火处理的衬底直接进行化学机械抛光；
4）化学机械抛光之后进行外延。
2.根据权利要求1所述的一种降低碳化硅外延基平面位错的方法，其特征在于，所述退火处理的保温时间为3小时。
3.根据权利要求1或2所述的一种降低碳化硅外延基平面位错的方法，其特征在于，所述退火处理的保温温度为1000℃。
4.根据权利要求1所述的一种降低碳化硅外延基平面位错的方法，其特征在于，所述的氩气气氛中添加有SiH4气体。
5.根据权利要求1所述的一种降低碳化硅外延基平面位错的方法，其特征在于，所述的碳化硅晶体的制备方法为PVT法。
6.根据权利要求1所述的一种降低碳化硅外延基平面位错的方法，其特征在于，衬底进行外延的方法为CVD法。
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