[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有位于彼此相对侧上的主表面和背表面；

场板部分，经由第一绝缘膜形成在所述半导体衬底的所述主表面上；

第二绝缘膜，形成在所述半导体衬底的所述主表面上，以覆盖所述第一绝缘膜和所述场板部分；

第一金属图案和第二金属图案，形成在所述第二绝缘膜上；以及

绝缘保护膜，形成在所述第二绝缘膜上，以覆盖所述第一金属图案和所述第二金属图案，

其中所述第一金属图案和所述第二金属图案中的每个金属图案电连接到所述场板部分，

其中所述第一金属图案和所述第二金属图案中的每个金属图案比所述场板部分厚，

其中所述场板部分由多晶硅制成，并且

其中所述第二绝缘膜由一个或多个氮化硅膜和一个或多个氧化硅膜的堆叠膜组成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二绝缘膜由第一氧化硅膜、所述第一氧化硅膜上的第一氮化硅膜以及所述第一氮化硅膜上的第二氧化硅膜的堆叠膜组成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第一氧化硅膜与所述场板部分接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二绝缘膜由第一氧化硅膜和所述第一氧化硅膜上的第一氮化硅膜的堆叠膜组成。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述第一氧化硅膜与所述场板部分接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二绝缘膜由第一氮化硅膜和第一氮化硅膜上的第一氧化硅膜的堆叠膜组成。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述第一氮化硅膜与所述场板部分接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述保护膜与所述第一金属图案和所述第二金属图案接触，并且

其中所述保护膜不包括氮化硅膜。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述保护膜是位于最上层的膜。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述保护膜由树脂膜组成。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中形成有半导体元件的元件区域被布置在所述半导体衬底的所述主表面的中央部分中，

其中所述第一金属图案被布置以在平面图中包围所述元件区域，并且所述第一金属图案电连接到所述半导体衬底的从所述第二绝缘膜暴露的第一部分，

其中所述第二金属图案被布置以在平面图中包围所述第一金属图案，并且所述第二金属图案电连接到所述半导体衬底的从所述第二绝缘膜暴露的第二部分，

其中所述场板部分整体地包括：第一导体图案、第二导体图案和第三导体图案，所述第一导体图案被布置以在平面图中包围所述元件区域，所述第二导体图案被布置以在平面图中包围所述第一导体图案，所述第三导体图案在平面图中被布置在所述第一导体图案与所述第二导体图案之间并且连接所述第一导体图案和所述第二导体图案，

其中所述第一金属图案电连接到所述场板部分的所述第一导体图案，并且

其中所述第二金属图案电连接到所述场板部分的所述第二导体图案。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中用于所述半导体元件的第一电极形成在所述元件区域上的所述第二绝缘膜上，

其中用于所述半导体元件的第二电极形成在所述半导体衬底的所述背表面上，并且

其中所述保护膜覆盖所述第一电极的一部分。