[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法

说明书

本公开的各实施例涉及一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。在构成半导体器件的半导体衬底的主表面上形成绝缘膜，以覆盖场板部分，在该绝缘膜上形成比所述场板部分厚的金属图案，在该绝缘膜上形成保护膜，以覆盖所述金属图案。该场板部分由一个或多个氮化硅膜和一个或多个的氧化硅膜的堆叠膜组成。

相关申请的交叉引用

于2022年2月28日申请的第2022-029196号日本专利申请的包括说明书、附图以及说明书摘要在内的公开内容全部通过引用合并于此。

背景技术

本发明涉及半导体器件及半导体器件的制造方法，例如能够适用于具有场板部分的半导体器件及其制造方法。

下面列出了公开的技术。

[专利文献1]第2019-62031号日本未审查专利申请公开

[专利文献2]第WO2013/069408号国际专利公开

[专利文献3]第2015-230965号日本未审查专利申请公开

第2019-62031号日本未审查专利申请公开(专利文件1)和第WO2013/069408号国际专利公开(专利文件2)描述了与具有电阻场板部分的半导体器件相关的技术。此外，第2015-230965号日本未审查专利申请公开(专利文献3)描述了一种与用于抑制电场集中的金属布线相关的技术。

发明内容

期望提高具有场板部分的半导体器件的可靠性。

其它问题和新颖特征将从本说明书和附图的描述中显而易见。

根据实施例，一种半导体器件包括：半导体衬底；场板部分，经由第一绝缘膜形成在该半导体衬底的该主表面上；第二绝缘膜，形成在该半导体衬底的该主表面上，以覆盖该第一绝缘膜和该场板部分。半导体器件还包括：第一金属图案和第二金属图案，形成在第二绝缘膜上；绝缘保护膜，形成在该第二绝缘膜上，以覆盖该第一金属图案和该第二金属图案。该第一金属图案和该第二金属图案中的每个金属图案电连接到该场板部分并且比场板部分厚。该场板部分由多晶硅制成，该第二绝缘膜由一个或多个氮化硅膜和一个或多个氧化硅膜的堆叠膜组成。

根据本实施方式，能够提高半导体器件的可靠性。

附图说明

图1是根据实施例的半导体器件的俯视图。

图2是根据实施例的半导体器件的仰视图。

图3是根据实施例的半导体器件的平面透视图。

图4是示出根据实施例的半导体器件的主要部分的平面图。

图5是根据实施例的半导体器件的平面透视图。

图6是示出根据实施例的半导体器件的主要部分的截面图。

图7是示出根据实施例的半导体器件的主要部分的截面图。

图8是示出根据实施例的半导体器件的主要部分的截面图。

图9是示出根据实施例的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。

图10是示出图9之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。

图11是示出图10之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。

图12是示出图11之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。

图13是示出图12之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。

图14是示出图13之后的半导体器件的制造工艺中的主要部分的截面图。