[发明专利]芯片载体在审
申请号: | 202310031736.4 | 申请日: | 2023-01-10 |
公开(公告)号: | CN116435190A | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | F·拉波特;L·富尔诺;E·索吉尔 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;崔慧玲 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 载体 | ||
本公开的实施例涉及芯片载体。集成电路芯片载体包括围绕腔体的壁。该壁包括一个或多个层级,每个层级由块体周围的树脂层形成。该块体由与树脂不同的材料制成。该块体被去除以打开腔体。
本申请要求于2022年1月11日提交的法国专利申请号2200190的优先权,在法律允许的最大范围内将其内容以其整体通过引用并入本文。
技术领域
本公开总体上涉及电子设备,并且,更具体地涉及电子芯片载体。
背景技术
电子集成电路芯片存在于许多电子设备中。在一个或多个制造步骤期间或在其操作期间,这种芯片经常被放置在包括腔体的载体结构中,芯片位于腔体中。
本领域需要克服已知芯片载体的全部或部分缺点。
发明内容
一个实施例提供一种制造包括腔体的载体的方法,包括:形成围绕腔体的壁,该壁包括至少一个第一层级,其中形成每个第一层级包括在第一块体周围形成第一树脂层,该第一块体由与第一树脂不同的材料制成,并且去除第一块体。
根据一个实施例,该方法包括:形成载体的基底,壁被搁置在该基底上,其中形成基底包括形成至少一个第二层级,其中形成每个第二层级包括形成在腔体的位置的前面延伸的第一树脂层。
根据一个实施例,形成基底包括形成在腔体的前面穿过基底的金属通孔。
根据一个实施例,形成至少某些层级包括生长金属轨和金属通孔。
根据一个实施例,(一个或多个)第一块体由与轨和通孔相同的材料制成。
根据一个实施例,层级被形成在至少部分金属的板体上。
根据一个实施例,第二层级在形成第一层级之前被形成在至少部分金属的板体上。
根据一个实施例,至少部分金属的板体形成载体的基底。
根据一个实施例,第一层级在形成第二层集之前被形成在至少部分金属的板体上。
根据一个实施例,(一个或多个)第一块体由至少部分金属的板体的一部分形成。
根据一个实施例,壁包括多个层级,并且所有第一块体具有相同的水平尺寸。
根据一个实施例,至少一个第一块体的至少一个侧壁相对于腔体的后部的平面倾斜。
根据一个实施例,最靠近腔体的后部的第一层级的第一块体具有至少一个水平尺寸,其小于其他第一层级中的第一块体的水平尺寸。
根据一个实施例,该方法包括用与第一树脂不同的第二树脂来填充腔体。
另一个实施例提供一种通过如前所述的方法而获得的设备,腔体具有大于30μm的高度。
附图说明
上述特征和优点以及其他特征和优点将在下面参考附图以例示而非限制性的方式给出的具体实施例的说明中进行详细描述,其中:
图1示出了电子芯片载体的一个实施例;
图2示出了图1的实施例的应用的示例;
图3示出了图1的实施例的另一个示例;
图4A至图4D示出了图1的实施例的制造方法的实现模式的步骤;
图5A至图5C示出了图1的实施例的制造方法的另一实现模式的步骤。
图6示出了电子芯片载体的另一个实施例;
图7示出了电子芯片载体的另一个实施例;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(格勒诺布尔2)公司,未经意法半导体(格勒诺布尔2)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造