[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

通过使用计算机获得包括鳍图案的初始图案布局，所述鳍图案包括将形成为有源鳍结构的有源鳍图案和不形成为实际鳍结构或者将被去除的伪鳍图案；

通过所述计算机以如下方式修改所述鳍图案的位置：

将相邻的有源鳍图案之间的间距增加第一量；

将所述伪鳍图案之间的间距减小第二量；以及

将所述伪鳍图案中的一个伪鳍图案和与所述伪鳍图案中的所述一个伪鳍图案相邻的所述有源鳍图案中一个有源鳍图案之间的间距减小第三量；

通过所述计算机放置芯轴图案，使得修改了位置的所述鳍图案沿着所述芯轴图案的纵向边缘放置；

基于所述芯轴图案制造光掩模；以及

使用所述光掩模在下面的层的上方形成光刻胶图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一量是所述修改之前相邻的有源鳍图案之间的所述间距的1％至10％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述芯轴图案包括有源芯轴图案和伪芯轴图案，

放置所述有源芯轴图案，使得所述有源鳍图案分别沿着所述有源芯轴图案的纵向边缘放置，以及

放置所述伪芯轴图案，使得所述伪鳍图案沿着所述伪芯轴图案的纵向边缘放置。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第三量为(边缘偏移量-所述第二量)/2，其中所述边缘偏移量为((位于所述伪芯轴图案的一侧上的以恒定的节距布置的所述有源鳍图案的数量)/2-0.5)×所述第一量。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二量等于零。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二量大于零并且等于或小于所述修改之前的所述伪鳍图案之间的所述间距的10％。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第三量为所述修改之前所述伪鳍图案中的一个伪鳍图案和与所述伪鳍图案中的所述一个伪鳍图案相邻的所述有源鳍图案中一个有源鳍图案之间的所述间距的1％至10％。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

在设置在衬底上方的硬掩模层上方设置的牺牲层上方使用第一光掩模形成第一光刻胶图案；

通过图案化所述牺牲层形成牺牲图案；

在所述牺牲图案的侧壁上形成侧壁图案；

去除所述牺牲图案，从而留下所述侧壁图案作为第一硬掩模图案；

通过使用所述第一硬掩模图案作为蚀刻掩模图案化所述硬掩模层，从而形成第二硬掩模图案；以及

通过使用所述第二硬掩模图案作为蚀刻掩模图案化所述衬底，从而形成鳍结构，

其中，所述第一光掩模通过以下方式获得：

通过使用计算机获得包括鳍图案的初始图案布局，所述鳍图案包括将形成为有源鳍结构的有源鳍图案和不形成为实际鳍结构或者将被去除的伪鳍图案；

通过所述计算机以如下方式修改所述鳍图案的位置：

将相邻的有源鳍图案之间的间距增加第一量；

将所述伪鳍图案之间的间距减小第二量；以及

将所述伪鳍图案中的一个伪鳍图案和与所述伪鳍图案中的所述一个伪鳍图案相邻的所述有源鳍图案中一个有源鳍图案之间的间距减小第三量；

通过所述计算机放置芯轴图案，使得修改了位置的所述鳍图案沿着所述芯轴图案的纵向边缘放置；以及

基于所述芯轴图案制造所述第一光掩模。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括，在所述硬掩模层被图案化之前：

通过使用一个或多个光刻和蚀刻操作去除所述第一硬掩模图案的部分，在所述去除中使用第二光掩模，

其中，所述第一硬掩模图案的所述部分包括对应于所述伪鳍图案的图案，并且基于所述伪鳍图案的布局获得所述第二光掩模。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成第一硬掩模层；

在所述第一硬掩模层上方形成牺牲层；

在所述牺牲层上方形成第二硬掩模层；

通过图案化所述第二硬掩模层形成第一硬掩模图案；

通过使用所述第一硬掩模图案作为蚀刻掩模图案化所述牺牲层，以形成牺牲图案；

在所述牺牲图案的侧壁上形成侧壁图案；

去除所述牺牲图案，从而留下所述侧壁图案作为第二硬掩模图案；

去除部分所述第二硬掩模图案；

在所述去除部分所述第二硬掩模之后，通过使用所述第二硬掩模图案的剩余部分作为刻蚀掩模图案化所述硬掩模层，从而形成第三硬掩模图案；以及

通过使用所述第三硬掩模图案作为刻蚀掩模图案化所述衬底，从而形成鳍结构，

其中，被去除的所述第二硬掩模图案的所述部分包括具有间距S1的伪硬掩模图案，所述第二硬掩模图案的所述剩余部分包括在相邻的有源硬掩模图案之间具有间距S2的有源硬掩模图案，并且

S1小于S2。