[发明专利]一种采用自适应电流补偿的二次电源电路

权利要求书

1.一种采用自适应电流补偿的二次电源电路，其特征在于，包括：启动及电流镜产生模块(1)、二次电源模块(2)、输出驱动模块(3)和自适应电流补偿模块(4)；

所述启动及电流镜产生模块(1)向二次电源模块(2)提供参考电流，所述二次电源模块(2)接收参考电流产生二次电源，所述二次电源模块(2)向输出驱动模块(3)提供电压；所述自适应电流补偿模块(4)向二次电源模块(2)提供补偿电流。

2.根据权利要求1所述的采用自适应电流补偿的二次电源电路，其特征在于，所述启动及电流镜产生模块(1)包括：PMOS管1、PMOS管2、PMOS管3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、NMOS管1、NMOS管2、NMOS管3和NMOS管4；

所述PMOS管1的漏极、PMOS管2的漏极和PMOS管3的漏极相互连接，所述PMOS管2的栅极和PMOS管3的栅极相连接；所述PMOS管3的源极连接电阻R1的一端和NMOS管4的漏极；所述PMOS管2的栅极、PMOS管3的栅极、电阻R1的一端和PMOS管3的源极相互连接；所述电阻R1的另一端连接NMOS管1的漏极；所述NMOS管1的栅极同时连接NMOS管2的漏极和PMOS管1的源极；所述NMOS管2的栅极连接PMOS管1的栅极和NMOS管3的栅极；所述PMOS管2的源极连接电阻R2的一端；所述电阻R2的另一端分别连接NMOS管3的漏极和NMOS管4的栅极；所述NMOS管3的栅极和NMOS管4的源极同时连接电阻R3的一端；所述电阻R3的另一端分别连接NMOS管1的源极、NMOS管2的源极和NMOS管3的源极。

3.根据权利要求2所述的采用自适应电流补偿的二次电源电路，其特征在于，所述二次电源模块(2)包括：PMOS管4、PMOS管5、PMOS管6、PMOS管7、NMOS管5、NMOS管14、电阻R4、二极管Vbe和稳压二极管Dz；

所述PMOS管4的漏极、PMOS管5的漏极、PMOS管6的漏极、PMOS管7的漏极和NMOS管14的漏极依次与PMOS管3的漏极相连接；所述PMOS管4的源极连接NMOS管5的漏极；NMOS管5的栅极连接NMOS管4的栅极；NMOS管5的源极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接电阻R3的另一端；所述NMOS管5的漏极连接PMOS管4的栅极、PMOS管5的栅极PMOS管6的栅极和PMOS管7的栅极；PMOS管7的源极连接NMOS管14的栅极和二极管Vbe的正极；所述二极管Vbe的负极和稳压二极管Dz的负极；所述稳压二极管Dz的正极接地。

4.根据权利要求3所述的采用自适应电流补偿的二次电源电路，其特征在于，所述输出驱动模块(3)包括：PMOS管9、PMOS管10、PMOS管11、NMOS管6、NMOS管7、NMOS管8、NMOS管9、电阻R5和电容C1；

所述PMOS管9的漏极、PMOS管10的漏极和PMOS管11的漏极与PMOS管7的漏极相互连接；所述PMOS管9的源极与NMOS管6的漏极、PMOS管11的栅极相连接；所述PMOS管9的栅极、PMOS管10的栅极与PMOS管10的源极相互连接；所述PMOS管10的源极与NMOS管7的漏极相连接；所述NMOS管7的源极与NMOS管6的源极共同连接NMOS管8的漏极；所述NMOS管6的栅极连接NMOS管14的源极；所述NMOS管8的源极连接NMOS管9的源极和电阻R5的一端；所述NMOS管8的栅极连接NMOS管9的栅极和NMOS管9的漏极；所述NMOS管9的漏极依次连接第二参考电流Iref2和电源VCC；所述PMOS管11的源极与电阻R5的另一端相连接；所述NMOS管7的栅极与PMOS管11的栅极之间连接有电容C1；NMOS管7的栅极外接输出电压Vout。