[发明专利]一种采用自适应电流补偿的二次电源电路在审

专利信息
申请号: 202310034470.9 申请日: 2023-01-10
公开(公告)号: CN116247930A 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 王漪婷;武岳;赵明;刘娜 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156;H02M1/088;H02M1/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 张宇鸽
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 自适应 电流 补偿 二次 电源 电路
【说明书】:

发明公开了一种采用自适应电流补偿的二次电源电路,包括:启动及电流镜产生模块向二次电源模块提供参考电流,二次电源模块接收参考电流产生二次电源,二次电源模块向输出驱动模块提供电压;所述自适应电流补偿模块向二次电源模块提供补偿电流。本发明采用带有自适应电流补偿的二次电源电路基于CMOS工艺,针对电源电压的情况对参考电平的输出进行自适应调节,使得在更宽的输入电压范围下,输出电压保持稳定;同时在低电源电压条件下,输出二次电平符合信号传输电路工作要求;提升了隔离型DC/DC开关电源的传输速度和最高工作频率。

技术领域

本发明属于电路设计技术领域,涉及一种采用自适应电流补偿的二次电源电路。

背景技术

驱动器作为隔离型DC/DC开关电源中重要组成部分,接收PWM控制器的脉冲同步信号,输出信号用来驱动和控制开关管和续流管。应用在驱动器中的二次电源电路对驱动器中逻辑部分进行供电,使整个信号传输链路上的控制系统工作在一个较低的工作电压,且不受系统电源电压影响。传统带隙基准电路需基于双极或BiCMOS工艺进行设计,受带隙基准结构影响,其允许的工作电压范围较窄,且需额外设计电阻修调网络保证输出电压精度。

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术中传统带隙基准电路需基于双极或BiCMOS工艺进行设计,受带隙基准结构影响,其允许的工作电压范围较窄,且需额外设计电阻修调网络保证输出电压精度的问题,提供一种采用自适应电流补偿的二次电源电路。

为达到上述目的,本发明采用以下技术方案予以实现:

一种采用自适应电流补偿的二次电源电路,包括:启动及电流镜产生模块、二次电源模块、输出驱动模块和自适应电流补偿模块;

启动及电流镜产生模块向二次电源模块提供参考电流,二次电源模块接收参考电流产生二次电源,二次电源模块向输出驱动模块提供电压;自适应电流补偿模块向二次电源模块提供补偿电流。

进一步的,启动及电流镜产生模块包括:PMOS管1、PMOS管2、PMOS管3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、NMOS管1、NMOS管2、NMOS管3和NMOS管4;

PMOS管1的漏极、PMOS管2的漏极和PMOS管3的漏极相互连接,PMOS管2的栅极和PMOS管3的栅极相连接;PMOS管3的源极连接电阻R1的一端和NMOS管4的漏极;PMOS管2的栅极、PMOS管3的栅极、电阻R1的一端和PMOS管3的源极相互连接;电阻R1的另一端连接NMOS管1的漏极;NMOS管1的栅极同时连接NMOS管2的漏极和PMOS管1的源极;NMOS管2的栅极连接PMOS管1的栅极和NMOS管3的栅极;PMOS管2的源极连接电阻R2的一端;电阻R2的另一端分别连接NMOS管3的漏极和NMOS管4的栅极;NMOS管3的栅极和NMOS管4的源极同时连接电阻R3的一端;电阻R3的另一端分别连接NMOS管1的源极、NMOS管2的源极和NMOS管3的源极。

进一步的,二次电源模块包括:PMOS管4、PMOS管5、PMOS管6、PMOS管7、NMOS管5、NMOS管14、电阻R4、二极管Vbe和稳压二极管Dz;

PMOS管4的漏极、PMOS管5的漏极、PMOS管6的漏极、PMOS管7的漏极和NMOS管14的漏极依次与PMOS管3的漏极相连接;PMOS管4的源极连接NMOS管5的漏极;NMOS管5的栅极连接NMOS管4的栅极;NMOS管5的源极连接电阻R4的一端,电阻R4的另一端连接电阻R3的另一端;NMOS管5的漏极连接PMOS管4的栅极、PMOS管5的栅极PMOS管6的栅极和PMOS管7的栅极;PMOS管7的源极连接NMOS管14的栅极和二极管Vbe的正极;二极管Vbe的负极和稳压二极管Dz的负极;稳压二极管Dz的正极接地。

进一步的,输出驱动模块包括:PMOS管9、PMOS管10、PMOS管11、NMOS管6、NMOS管7、NMOS管8、NMOS管9、电阻R5和电容C1;

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