[发明专利]一种紧缩场反射面板的确定方法及系统

权利要求书

1.一种紧缩场反射面板的确定方法，其特征在于，所述方法包括：

获取反射板当前优化次数下的结构参数；所述反射板为菱形反射板，所述反射板包括抛物面和卷边；所述结构参数包括：对角线比值、所述反射板距离预设坐标原点的距离、焦径比、所述卷边的宽度和所述卷边的卷曲程度；当前优化次数下的结构参数是利用最小最大优化方法对上一优化次数下的结构参数进行优化确定的；

根据当前优化次数下的结构参数，对当前优化次数下的反射板进行电磁场仿真，得到当前优化次数下的静区的幅度变化和相位变化；

判断当前优化次数下的静区的幅度变化和相位变化是否满足预设条件；

若是，则获取预设期望参数，并根据所述预设期望参数和当前优化次数下的结构参数，制备目标紧缩场反射面板；所述预设期望参数包括：静区大小、最低工作频率和静区位置；

若否，则利用最小最大优化方法对当前优化次数下的结构参数进行优化更新，并返回“根据当前优化次数下的结构参数，对当前优化次数下的反射板进行电磁场仿真，得到当前优化次数下的静区的幅度变化和相位变化”。

2.根据权利要求1所述的紧缩场反射面板的确定方法，其特征在于，所述目标紧缩场反射面板的外形为钻石状菱形。

3.根据权利要求1所述的紧缩场反射面板的确定方法，其特征在于，在优化过程中，所述对角线比值的取值范围为0.7-1.4。

4.根据权利要求1所述的紧缩场反射面板的确定方法，其特征在于，在优化过程中，所述距离的取值范围为0.15f-0.9f，f为焦距。

5.根据权利要求1所述的紧缩场反射面板的确定方法，其特征在于，在优化过程中，所述焦径比的取值范围为0.9a-3.0a，a为反射板的两条对角线中较短的对角线的长度。

6.根据权利要求1所述的紧缩场反射面板的确定方法，其特征在于，所述目标紧缩场反射面板的卷边的宽度为所述最低工作频率对应波长的5倍。

7.一种紧缩场反射面板的确定系统，其特征在于，所述系统包括：

结构参数获取模块，用于获取反射板当前优化次数下的结构参数；所述反射板为菱形反射板，所述反射板包括抛物面和卷边；所述结构参数包括：对角线比值、所述反射板距离预设坐标原点的距离、焦径比、所述卷边的宽度和所述卷边的卷曲程度；当前优化次数下的结构参数是利用最小最大优化方法对上一优化次数下的结构参数进行优化确定的；

电磁场仿真模块，用于根据当前优化次数下的结构参数，对当前优化次数下的反射板进行电磁场仿真，得到当前优化次数下的静区的幅度变化和相位变化；

判断模块，用于判断当前优化次数下的静区的幅度变化和相位变化是否满足预设条件；

第一执行模块，用于若是，则获取预设期望参数，并根据所述预设期望参数和当前优化次数下的结构参数，制备目标紧缩场反射面板；所述预设期望参数包括：静区大小、最低工作频率和静区位置；

第二执行模块，用于若否，则利用最小最大优化方法对当前优化次数下的结构参数进行优化更新，并返回所述电磁场仿真模块。

8.根据权利要求7所述的紧缩场反射面板的确定系统，其特征在于，所述目标紧缩场反射面板的外形为钻石状菱形。

9.根据权利要求7所述的紧缩场反射面板的确定系统，其特征在于，在优化过程中，所述对角线比值的取值范围为0.7-1.4。

10.根据权利要求7所述的紧缩场反射面板的确定系统，其特征在于，在优化过程中，所述距离的取值范围为0.15f-0.9f，f为焦距。