[发明专利]一种紧缩场反射面板的确定方法及系统

说明书

本发明公开一种紧缩场反射面板的确定方法及系统，涉及紧缩场测量技术领域，所述方法包括：获取反射板当前优化次数下的结构参数；反射板为菱形反射板，反射板包括抛物面和卷边；当前优化次数下的结构参数是利用最小最大优化方法对上一优化次数下的结构参数进行优化确定的；根据当前优化次数下的结构参数，对当前优化次数下的反射板进行电磁场仿真，得到当前优化次数下的静区的幅度变化和相位变化；判断当前优化次数下的静区的幅度变化和相位变化是否满足预设条件；若是，则获取预设期望参数，并根据预设期望参数和当前优化次数下的结构参数，制备目标紧缩场反射面板；若否，则迭代优化。本发明提高了反射面板所在紧缩场系统的测量精度。

技术领域

本发明涉及紧缩场测量技术领域，特别是涉及一种紧缩场反射面板的确定方法及系统。

背景技术

紧缩场测量技术是为解决室外远场测量遇到的对准困难、保密性差以及测量对气候条件要求高等问题而提出的一种测量方式，具体地，紧缩场测量技术是指在近距离上实现天线参数或雷达目标散射特性远场测量的技术，紧缩场是应用近场聚焦原理，在测量天线近区产生一个准平面波区，测量时系统无需离开被测目标或天线远场距离便可测到远场测量数据。

现有紧缩场测量技术中采用的紧缩场反射面板均是由位于静区和反射面板之间的馈源布局；馈源位于静区和反射面连线的中间，会造成静区偏后，暗室比较长；馈源的背向辐射对静区的质量影响很大，静区的幅度和相位不均匀，测量精确性较低。

发明内容

本发明的目的是提供一种紧缩场反射面板的确定方法及系统，使得静区的幅度和相位更加均匀，测量更加精确。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种紧缩场反射面板的确定方法，所述方法包括：

获取反射板当前优化次数下的结构参数；所述反射板为菱形反射板，所述反射板包括抛物面和卷边；所述结构参数包括：对角线比值、所述反射板距离预设坐标原点的距离、焦径比、所述卷边的宽度和所述卷边的卷曲程度；当前优化次数下的结构参数是利用最小最大优化方法对上一优化次数下的结构参数进行优化确定的；

根据当前优化次数下的结构参数，对当前优化次数下的反射板进行电磁场仿真，得到当前优化次数下的静区的幅度变化和相位变化；

判断当前优化次数下的静区的幅度变化和相位变化是否满足预设条件；

若是，则获取预设期望参数，并根据所述预设期望参数和当前优化次数下的结构参数，制备目标紧缩场反射面板；所述预设期望参数包括：静区大小、最低工作频率和静区位置；

若否，则利用最小最大优化方法对当前优化次数下的结构参数进行优化更新，并返回“根据当前优化次数下的结构参数，对当前优化次数下的反射板进行电磁场仿真，得到当前优化次数下的静区的幅度变化和相位变化”。

可选地，所述目标紧缩场反射面板的外形为钻石状菱形。

可选地，在优化过程中，所述对角线比值的取值范围为0.7-1.4。

可选地，在优化过程中，所述距离的取值范围为0.15f-0.9f，f为焦距。

可选地，在优化过程中，所述焦径比的取值范围为0.9a-3.0a，a为反射板的两条对角线中较短的对角线的长度。

可选地，所述目标紧缩场反射面板的卷边的宽度为所述最低工作频率对应波长的5倍。

一种紧缩场反射面板的确定系统，所述系统包括：

结构参数获取模块，用于获取反射板当前优化次数下的结构参数；所述反射板为菱形反射板，所述反射板包括抛物面和卷边；所述结构参数包括：对角线比值、所述反射板距离预设坐标原点的距离、焦径比、所述卷边的宽度和所述卷边的卷曲程度；当前优化次数下的结构参数是利用最小最大优化方法对上一优化次数下的结构参数进行优化确定的；