[发明专利]用于NAND闪速存储器的预软解码跟踪的系统和方法在审
申请号: | 202310039543.3 | 申请日: | 2023-01-12 |
公开(公告)号: | CN116434806A | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | H·魏因加滕 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘薇;刘瑞东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 nand 存储器 解码 跟踪 系统 方法 | ||
1.一种用于对闪速存储器执行操作的方法,所述方法包括:
获得一个或多个软读取样本;
根据所述一个或多个软读取样本估计参考电压;以及
使用所估计的参考电压对所述闪速存储器的位置执行读取操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其中
获得一个或多个软读取样本包括:通过使用第一参考电压对所述闪速存储器的位置执行第一读取操作来获得第一软读取样本,
根据所述一个或多个软读取样本估计参考电压包括:基于所述第一软读取样本确定第二参考电压,
使用所估计的参考电压对所述闪速存储器的位置执行读取操作包括:通过使用所述第二参考电压对所述闪速存储器的所述位置执行第二读取操作来获得第二软读取样本,并且
所述方法还包括:
基于所述第一软读取样本和所述第二软读取样本生成软信息;以及
基于所述软信息对所述闪速存储器的所述位置的第三读取操作的结果进行解码。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,确定所述第二参考电压包括:
基于所述第一软读取样本确定采样范围;以及
从所述采样范围内确定所述第二参考电压。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述第二参考电压是所述采样范围的中点。
5.根据权利要求3所述的方法,还包括:
基于多个软读取样本生成直方图,
其中,确定所述采样范围包括:
基于所述第一软读取样本更新所述直方图,以及
基于所述直方图确定所述采样范围。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,生成所述直方图包括:基于多个参考电压的读取结果生成累积直方图。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括:
确定所述累积直方图的最大水平的阈值是否大于或等于预期累积直方图的最大值;以及
响应于确定所述累积直方图的所述最大水平的所述阈值小于所述预期累积直方图的所述最大值,增大所述采样范围的最大值。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括:
响应于确定所述累积直方图的所述最大水平的所述阈值大于或等于所述预期累积直方图的所述最大值,减小所述采样范围的最小值。
9.根据权利要求7所述的方法,还包括:
确定所述累积直方图的所述最大水平的所述阈值与所述预期累积直方图的所述最大值之差是否小于或等于所述累积直方图的最小水平的阈值与所述预期累积直方图的最小值之差;
响应于确定所述累积直方图的所述最大水平的所述阈值与所述预期累积直方图的所述最大值之差小于或等于所述累积直方图的所述最小水平的所述阈值与所述预期累积直方图的最小值之差,增大所述采样范围的所述最大值。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括:
响应于确定所述累积直方图的所述最大水平的所述阈值与所述预期累积直方图的所述最大值之差大于所述累积直方图的所述最小水平的所述阈值与所述预期累积直方图的最小值之差,减小所述采样范围的所述最小值。
11.根据权利要求5所述的方法,其中,生成所述直方图包括生成每个参考电压的直方图。
12.根据权利要求1所述的方法,还包括:
使用映射表设置所估计的参考电压的标注值。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,设置所估计的参考电压的标注值包括:
将所述映射表的一个或多个元素设置为相应的标注值;以及
移动所述映射表的所述一个或多个元素的所述标注值,使得移动后的标注值以所估计的参考电压之一为中心集中。
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