[发明专利]用于NAND闪速存储器的预软解码跟踪的系统和方法

说明书

本公开涉及用于NAND闪速存储器的预软解码跟踪的系统和方法。一种闪速存储器系统可以包括闪速存储器和用于对闪速存储器执行操作的电路。该电路可以被配置为通过使用第一参考电压对闪速存储器的位置执行第一读取操作来获得第一软读取样本。该电路可以被配置为基于第一软读取样本确定第二参考电压。该电路可以被配置为通过使用第二参考电压对闪速存储器的位置执行第二读取操作来获得第二软读取样本。该电路可以被配置为基于第一和第二软读取样本生成软信息。该电路可以被配置为基于软信息对闪速存储器的位置的第三读取操作的结果进行解码。

技术领域

本布置一般地涉及用于执行闪速存储器的操作的系统和方法，更具体地涉及用于基于软读取样本确定最优读取参考电压以提高软解码可靠性的系统和方法。

背景技术

随着计算设备的数量和类型不断增加，对此类设备所使用的存储器的要求也在不断增加。存储器包括易失性存储器(例如，RAM)和非易失性存储器。一种流行的非易失性存储器类型是闪速存储器或NAND型闪速存储器。NAND闪速存储器阵列包括基元(cell)的行和列(串)。基元可以包括晶体管。

在NAND闪速装置中，可以通过改变读取阈值并读取NAND闪速装置若干次来执行软采样以生成软信息。然后，基于软采样生成的软信息，执行软解码。NAND闪速装置中的软解码能力仍有待改进。

发明内容

本布置涉及用于基于软读取样本确定最优读取参考电压以提高软解码可靠性的系统和方法。

根据某些方面，本布置提供了一种用于对闪速存储器执行操作的方法，所述方法可以包括通过使用第一参考电压对所述闪速存储器的位置执行第一读取操作来获得第一软读取样本。所述方法可以包括基于所述第一软读取样本确定第二参考电压。所述方法可以包括通过使用所述第二参考电压对所述闪速存储器的所述位置执行第二读取操作来获得第二软读取样本。所述方法可以包括基于所述第一软读取样本和所述第二软读取样本生成软信息。所述方法可以包括基于所述软信息对所述闪速存储器的所述位置的第三读取操作的结果进行解码。

根据其他方面，本布置提供了一种包括闪速存储器和用于对所述闪速存储器执行操作的电路的闪速存储器系统。所述电路可以被配置为通过使用第一参考电压对所述闪速存储器的位置执行第一读取操作来获得第一软读取样本。所述电路可以被配置为基于所述第一软读取样本确定第二参考电压。所述电路可以被配置为通过使用所述第二参考电压对所述闪速存储器的所述位置执行第二读取操作来获得第二软读取样本。所述电路可以被配置为基于所述第一软读取样本和所述第二软读取样本生成软信息。所述电路可以被配置为基于所述软信息对所述闪速存储器的所述位置的第三读取操作的结果进行解码。

附图说明

在结合附图查看以下对具体布置的描述后，本布置的这些和其他方面和特征对于本领域普通技术人员而言将变得显而易见，其中：

图1A示出了传统的每基元三比特(bpc)闪速装置中的阈值电压分布；

图1B至图1D示出了闪速装置的页的软采样的示例过程；

图2A和图2B示出了根据一些布置的示例标注(labeling)引擎；

图3示出了根据一些布置的示例闪速存储器系统的框图；

图4是示出根据一些布置的用于在NAND控制器中对页进行读取和解码的示例方法的流程图；

图5是示出根据一些布置的用于在NAND控制器中对页进行读取和解码的示例方法的流程图；

图6示出了根据一些布置的示例直方图引擎(histogram engine)；

图7是示出根据一些布置的用于估计阈值电压的示例方法的流程图；

图8是示出根据一些布置的用于确定阈值搜索范围的示例方法的流程图；