[发明专利]SSD供电抗干扰能力测试方法、装置、存储介质及系统在审

专利信息
申请号: 202310040795.8 申请日: 2023-01-12
公开(公告)号: CN115877113A 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 赵春辉;孙伟;薛红军;康雷 申请(专利权)人: 北京得瑞领新科技有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00
代理公司: 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 代理人: 李丽颖
地址: 100192 北京市海淀区西小口路66号*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: ssd 供电 抗干扰 能力 测试 方法 装置 存储 介质 系统
【说明书】:

发明涉及数据存储技术领域,提供了一种SSD供电抗干扰能力测试方法、装置、存储介质及系统,该方法包括:根据SSD上电时所处的不同阶段配置不同类型的干扰供电波形,以模拟不同上电阶段的电源干扰场景;在待测试SSD的不同上电阶段,分别发送对应类型的干扰供电波形生成指令到可编程的存储系统部件热插拔测试工具,以供存储系统部件热插拔测试工具根据干扰供电波形生成指令生成相应的干扰供电波形对待测试SSD进行供电干扰测试;向测试服务器发送SSD状态监测命令,使测试服务器监测待测试SSD的上电状态和本次供电干扰测试场景下待测试SSD是否达到正常工作状态。本发明能够更快速、精准的实现SSD对电源供电抗异常的干扰能力测试。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域,尤其涉及一种SSD供电抗干扰能力测试方法、装置、存储介质及系统。

背景技术

SSD在实际应用场景中,会遇到各种现象的供电异常情况,比如:(非)计划性热插拔、异常掉电、供电电源不稳定等。这些情况都有可能导致SSD状态异常、读写报错、数据错误或丢失、甚至可能导致盘的硬件损坏,从而给用户带来巨大的损失。

在实现本发明过程中,发明人发现现有技术中实现SSD供电抗干扰能力的测试方法,有电压拉偏、热插拔、或者异常掉电测试等方法。但是现有的测试方法测试场景比较固定,仅支持特定场景的测试,对SSD供电抗干扰能力的测试并不全面,能暴露出的问题有限,不能够充分暴露出SSD对电源供电抗干扰方面的缺陷。而且现有技术所提供的测试方法无法记录测试场景的准确数据,无法还原SSD出现故障时的场景,复现问题困难。

发明内容

鉴于上述问题,提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的SSD供电抗干扰能力测试方法、装置、存储介质及系统。

本发明的一个方面,提供了一种SSD供电抗干扰能力测试方法,所述方法包括:

根据SSD上电时所处的不同阶段配置不同类型的干扰供电波形,以模拟SSD不同上电阶段的电源干扰场景;

在待测试SSD的不同上电阶段,分别发送与当前上电阶段对应类型的干扰供电波形生成指令到可编程的存储系统部件热插拔测试工具,以供所述存储系统部件热插拔测试工具根据所述干扰供电波形生成指令生成相应的干扰供电波形对待测试SSD进行供电干扰测试;

向测试服务器发送SSD状态监测命令,使测试服务器监测待测试SSD的上电状态,以及本次供电干扰测试场景下待测试SSD是否达到正常工作状态,并返回监测结果。

进一步地,所述方法还包括:

向测试服务器发送SSD读写命令,使测试服务器在待测试SSD上电完成后对待测试SSD进行读写测试以监测本次供电干扰测试场景下SSD数据是否会丢失或者报错,并返回监测结果。

进一步地,所述方法还包括:

在待测试SSD的任一上电阶段,分别在不同测试时间点多次发送与当前上电阶段对应类型的干扰供电波形生成指令到可编程的存储系统部件热插拔测试工具,以通过增加干扰供电波形的测试点数量实现不同测试压力的电源干扰场景测试。

进一步地,所述方法还包括:

在待测试SSD的任一上电阶段,在发送与当前上电阶段对应类型的干扰供电波形生成指令中携带测试循环数量参数,以通过增加一次干扰测试中的干扰波形循环数量实现不同测试压力的电源干扰场景测试。

进一步地,所述根据SSD上电时所处的不同阶段配置不同类型的干扰供电波形包括:

在SSD上电启动阶段配置的干扰供电波形类型为:将供电的供电间隔在1us至200000us之间随机取值,低电平电压在0到12V之间随机取值,低电平间隔时间在1us到150000us之间随机取值;

在SSD上电初始化阶段配置的干扰供电波形类型为:将供电的供电间隔在200000us至1000000us之间随机取值;低电平电压在0到12V之间随机取值,低电平间隔时间在1us到150000us之间随机取值;

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