[发明专利]一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法

权利要求书

1.一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，包括：

对待清洗晶圆进行第一次氧等离子体处理，得到第一次清洗晶圆；

对所述第一次清洗晶圆进行至少一次循环清洗，得到第二次清洗晶圆；

对所述第二次清洗晶圆进行第二次氧等离子体处理得到清洗后的晶圆；

其中，所述待清洗晶圆为预先利用含氟气体对具有钝化膜的晶圆上的预设位置的钝化膜进行刻蚀至露出所述晶圆中的铝层后的晶圆；所述晶圆中的铝层与所述钝化膜接触。

2.如权利要求1所述的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，在所述对待清洗晶圆进行第一次氧等离子体处理，得到第一次清洗晶圆之前，还包括：

对所述待清洗晶圆进行直流灰化处理。

3.如权利要求1所述的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述对所述第一次清洗晶圆进行至少一次循环清洗，得到第二次清洗晶圆，包括：

在每次循环清洗中都对所述第一次清洗晶圆进行清洗液清洗，得到第二次清洗晶圆。

4.如权利要求3所述的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述清洗液包括：硫酸和过氧化氢加上去离子水所构成的水溶液。

5.如权利要求2所述的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述对所述待清洗晶圆进行直流灰化处理，包括：

通入第一等离子体气体，并向所述第一等离子体气体施加直流电；

其中，所述直流灰化处理的压力为10～50mTorr；所述直流灰化处理的直流电压为50～200V；所述直流灰化处理的偏置功率为200～1000W；所述直流灰化处理的源功率为0～200W；所述第一等离子体气体包含氧气、氮气、氩气、压缩空气、二氧化碳、氢气、四氟化碳中的至少一种气体；所述第一等离子体气体的流速为300～1000sccm；所述直流灰化处理的时间为30～200s。

6.如权利要求1所述的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述对待清洗晶圆进行第一次氧等离子体处理，得到第一次清洗晶圆，包括：

在氧气流量为7000sccm～13000sccm以及氮气流量为400sccm～1100sccm的混合气氛中，功率为200W～1000W，温度为240℃～310℃，处理时间为240s～360s的条件下对所述待清洗晶圆进行处理得到第一次清洗晶圆；

7.如权利要求1所述的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述对所述第二次清洗晶圆进行第二次氧等离子体处理，包括：

在氧气流量为7000sccm～13000sccm以及氮气流量为400sccm～1100sccm的混合气氛中，功率为200W～1000W，温度为240℃～310℃，处理时间为240s～360s的条件下对所述第二次清洗晶圆进行处理；

8.如权利要求4所述的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述循环清洗包括：在清洗液清洗后依次进行的旋转处理、二氧化碳水溶液清洗以及氮气吹扫处理。

9.如权利要求8所述的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述旋转处理包括：转速为1200rpm～1500rpm，处理时间为3s～8s。

10.如权利要求8所述的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述二氧化碳水溶液清洗包括：所述二氧化碳水溶液的电阻值为100千欧～140千欧，清洗时间为7s～12s。

11.如权利要求8所述的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述氮气吹扫处理包括：氮气流量为8000sccm～12000sccm，处理时间为5～15s。