[发明专利]一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法

说明书

本发明实施例提供一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，包括：对待清洗晶圆进行第一次氧等离子体处理，得到第一次清洗晶圆；对所述第一次清洗晶圆进行至少一次循环清洗，得到第二次清洗晶圆；对所述第二次清洗晶圆进行第二次氧等离子体处理。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法。

背景技术

对于高性能高可靠性集成电路来说，其芯片表面的钝化已成为不可缺少的工艺流程之一。钝化层用以器件之间以及布线之间的电气隔离，以及把器件与周围环境气氛隔离开来，以增强器件对外来离子的阻挡能力，保护器件内部的互联和防止受到机械和化学损伤。

钝化膜刻蚀(PassivationEtch)是集成电路晶圆制造中的一个工艺流程，钝化膜刻蚀为芯片刻出裸露的铝窗口，后续的芯片封装工艺中，会通过这些窗口连接引脚。在钝化膜结构中，外层结构是硅-氮、硅-氧物质，下方是铝，通常使用含氟气体作为主刻蚀气体进行刻蚀钝化膜。由于含氟气体刻蚀在刻蚀中与铝反应生成的聚合物很难去除干净，会沉积在硅片和刻蚀腔体各处，这会影响刻蚀的效果，并对腔体状况造成不良影响。对于早期工艺中关键尺寸较大，工艺难度较低，但随着关键尺寸的不断减小，芯片设计越发复杂，刻蚀过程中快速生成的聚合物会对工艺精度产生严重影响，同时由于残留的含氟聚合物是含氟气体刻蚀中产生的，这类聚合物会在一定的湿度和温度环境下发生扩散，从而对晶圆表面造成严重的影响。

在实现本发明过程中，申请人发现现有技术中至少存在如下问题：

现有的刻蚀工艺中形成的聚合物和表面颗粒污染硅片和刻蚀腔体的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法,解决了现有的刻蚀工艺中形成的聚合物和表面颗粒污染硅片和刻蚀腔体的问题。

为达上述目的，一方面，本发明实施例提供一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，包括：

对待清洗晶圆进行第一次氧等离子体处理，得到第一次清洗晶圆；

对所述第一次清洗晶圆进行至少一次循环清洗，得到第二次清洗晶圆；

对所述第二次清洗晶圆进行第二次氧等离子体处理得到清洗后的晶圆；

其中，所述待清洗晶圆为预先利用含氟气体对具有钝化膜的晶圆上的预设位置的钝化膜进行刻蚀至露出所述晶圆中的铝层后的晶圆；所述晶圆中的铝层与所述钝化膜接触。

进一步地，在所述对待清洗晶圆进行第一次氧等离子体处理，得到第一次清洗晶圆之前，还包括：

对所述待清洗晶圆进行直流灰化处理。

进一步地，所述对所述第一次清洗晶圆进行至少一次循环清洗，得到第二次清洗晶圆，包括：

在每次循环清洗中都对所述第一次清洗晶圆进行清洗液清洗，得到第二次清洗晶圆。

进一步地，所述清洗液包括：硫酸和过氧化氢加上去离子水所构成的水溶液。

优选地，所述清洗液包括：1～10％的硫酸、1～10％的过氧化氢加上去离子水构成的水溶液；

进一步地，所述对所述待清洗晶圆进行直流灰化处理，包括：

通入第一等离子体气体，并向所述第一等离子体气体施加直流电；