[发明专利]测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法在审
| 申请号： | 202310056798.0 | 申请日： | 2023-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN115980550A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 詹晖 | 申请（专利权）人： | 成都环宇芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 半导体 芯片 效应 放大 倍数 方法 | ||
【权利要求书】：
1.测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法，其特征在于，包括下述步骤：
（1）对于紧邻PMOS-NMOS结构，将NMOS管的源端和衬底接GND，PMOS管的源端和阱电位接第一外部连接点，第一外部连接点接VCC，NMOS管的漏端和PMOS管的漏端接第二外部连接点；所述紧邻PMOS-NMOS结构包括PMOS管和NMOS管，所述PMOS管包括栅区以及设置于N阱内的源区和漏区；所述N阱嵌入P型掺杂区内；
（2）在第二外部连接点连接电流源；
（3）测量第一外部连接点的输入电流变化量△IVCC和第二外部连接点的输出电流变化量△Iout，通过下式计算闩锁效应放大倍数ß：
ß = △IVCC/△Iout
（4）增加第一外部连接点的输入电流或者第二外部连接点的输出电流，返回步骤（3），直到芯片烧毁，获得当前电流方向的放大倍数ß的数值曲线。
2.如权利要求1所述的测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法，其特征在于，还包括步骤（5）：
改变第二外部连接点所连接的电流源的电流方向，然后进入步骤（3）。
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