[发明专利]一种半导体集成电路的铝合金腔体制作工艺

权利要求书

1.一种半导体集成电路的铝合金腔体制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1、对铝合金板材进行清洗；

S2、将清洗后的铝合金板材放置于加工台上，并采用夹具进行固定，使得待焊接部位对接好，之后，采用搅拌头对待焊接部位进行搅拌摩擦焊，制得铝合金腔体，其中，所述搅拌头上设置有用于抛光打磨的砂轮，在搅拌摩擦焊接的同时对焊缝进行抛光打磨；

S3、质量检测。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路的铝合金腔体制作工艺，其特征在于，所述砂轮与所述搅拌头上的轴肩之间的高度可调。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路的铝合金腔体制作工艺，其特征在于，所述搅拌头包括连接段，所述轴肩位于所述连接段的一端，所述连接段上设置有支撑台肩，还包括夹持体，所述夹持体通过调节螺栓、螺母安装在所述支撑台肩上，所述砂轮安装在所述夹持体上。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路的铝合金腔体制作工艺，其特征在于，所述调节螺栓上套设有弹簧，并且弹簧位于所述夹持体与所述支撑台肩之间。

5.根据权利要求2所述的半导体集成电路的铝合金腔体制作工艺，其特征在于，所述砂轮与所述轴肩之间的高度为0.31～0.35mm。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路的铝合金腔体制作工艺，其特征在于，步骤S1中，清洗包括如下步骤：（1）冷水冲洗；（2）脱脂清洗；（3）酸洗；（4）氮气吹干；（5）烘干。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路的铝合金腔体制作工艺，其特征在于，步骤S2中，搅拌摩擦焊时，搅拌头的转速为600～620转/分钟，行进速度为70mm/min，焊接压力为40～50kN。