[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一发光结构，所述第一发光结构被布置在所述衬底上，所述第一发光结构包括第一导电类型的第一半导体层；第一有源层，所述第一有源层被布置在所述第一半导体层上；以及第二导电类型的第二半导体层；

第二发光结构，所述第二发光结构被布置在所述衬底上并且与所述第一发光结构间隔开，所述第二发光结构包括第一导电类型的第三半导体层；第二有源层，所述第二有源层被布置在所述第三半导体层上；以及第二导电类型的第四半导体层；

连接电极，所述连接电极被电连接到所述第一发光结构的第二半导体层和所述第二发光结构的第三半导体层；

所述连接电极包括：主电极；第一分支电极，所述第一分支电极被直接连接到所述主电极；第二分支电极，所述第二分支电极从所述第一分支电极的端部延伸；以及第三分支电极，所述第三分支电极从所述第一分支电极的另一端部延伸；

其中，所述主电极的第一区域被布置在所述第二半导体层上，并且所述主电极的第二区域被布置在所述第一发光结构的侧表面和所述第二发光结构的侧表面之间；以及

其中，所述第一分支电极、所述第二分支电极和所述第三分支电极被布置在所述第三半导体层上；

第一电极焊盘，所述第一电极焊盘被布置在所述第一发光结构上并且被电连接到所述第一半导体层；以及

第二电极焊盘，所述第二电极焊盘被布置在所述第二发光结构上并且被电连接到所述第四半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二分支电极和所述第三分支电极沿着所述第三半导体层的上表面从所述第一分支电极延伸到所述第二发光结构的端部区域。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，沿着所述第三半导体层的上表面设置的所述第二分支电极的长度和所述第三分支电极的长度等于所述第三半导体层的对应边长的85％至90％。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接电极和所述第三半导体层之间的电连接为点接触。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一分支电极和所述第三半导体层之间的电连接、所述第二分支电极和所述第三半导体层之间的电连接以及所述第三分支电极和所述第三半导体层之间的电连接均为点接触。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，暴露所述第三半导体层的接触区域设置在多个孔中，所述接触区域的所述孔的直径为5微米至50微米。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层提供用于暴露所述第三半导体层的上表面的接触区域；

其中，所述第二分支电极和所述第三分支电极通过所述接触区域被电连接到第三半导体层，并且在所述第一分支电极的下面布置的第一绝缘层的区域中没有设置接触区域。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层提供用于暴露所述第三半导体层的上表面的接触区域；

其中，在所述第二发光结构的侧表面处具有突出区域，所述接触区域位于突出区域之间的凹入区域中并且通过所述第一绝缘层被设置在多个孔中。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二发光结构的侧表面以凹凸形状被台面蚀刻。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二分支电极和所述第三分支电极分别被布置在所述第二发光结构的侧表面处。