[发明专利]半导体器件

说明书

根据实施例的半导体器件可以包括：衬底；第一发光结构和第二发光结构，其被布置在衬底上；第一反射电极，其被布置在第一发光结构上；第二反射电极，其被布置在第二发光结构上；连接电极；第一电极焊盘；以及第二电极焊盘。根据实施例，第一发光结构可以包括：第一导电类型的第一半导体层；第一有源层，其被布置在第一半导体层上；第二导电类型的第二半导体层，其被布置在第一有源层上；以及第一通孔，其通过第二半导体层和第一有源层延伸并且暴露第一半导体层。第二发光结构与第一发光结构间隔开，并且可以包括：第一导电类型的第三半导体层、布置在第三半导体层上的第二有源层、以及布置在第二有源层上的第二导电类型上的第四半导体层。

本申请是国际申请日为2017年12月21日、国际申请号为PCT/KR2017/015267、进入中国国家阶段的申请号为201780079603.7，发明名称为“半导体器件”的发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有于2016年12月23日在韩国递交的韩国专利申请第10-2016-0177357号的优先权，该申请的全部内容通过参考合并于此。

技术领域

实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有诸如宽且易于调节的带隙能量的许多优点，因此该器件能够不同地用作发光器件、光接收器件和各种二极管。

特别地，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够由于薄膜生长技术和器件材料的发展实现具有诸如红色、绿色、蓝色和紫外线的各种波长带的光。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全性和环境友好性的优点。

此外，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，随着器件材料的发展通过吸收具有各种波长域的光来产生光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有响应速度快、安全、环保、易于控制器件材料等优点，使得光接收器件能够被容易地用于电源控制、超高频电路或者通信模块。

因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、代替构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、代替荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明装置、车辆前灯、交通灯和用于检测气体或火的传感器。另外，半导体器件的应用能够被扩展到高频应用电路、功率控制装置或通信模块。

例如，发光器件可以被设置为pn结二极管，其具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性，并且通过调节化合物半导体物质的组成比能够实现各种波长。

例如，因为氮化物半导体具有高热稳定性和宽带隙能量，所以在光学器件和高功率电子器件的开发领域中已经受到极大关注。特别地，使用该氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。

例如，紫外发光器件是指产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围内，短波长可用于灭菌、纯化等，并且长波长可以被用于步进器、固化装置等。

紫外线可以按照长波长的顺序分类成UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)领域应用于各种领域，诸如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、鉴别假币、光催化灭菌、特殊照明(诸如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。