[发明专利]使能检测电路及电子设备

权利要求书

1.一种使能检测电路，其特征在于，所述使能检测电路包括依次连接的偏置电流发生电路、参考信号发生电路和比较电路；

其中，所述偏置电流发生电路包括待机电压输入接口，所述待机电压输入接口用于获取待机电压，根据所述待机电压产生偏置电流；

所述参考信号发生电路用于获取所述偏置电流，基于所述偏置电流产生参考信号，并将所述参考信号传递至所述比较电路；

所述比较电路包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端用于获取所述参考信号，所述第二输入端用于获取使能信号；

所述比较电路包括第一阶段电路和与所述第一阶段电路连接的第二阶段电路；

所述第一阶段电路用于根据所述参考信号和所述使能信号向所述第二阶段电路输出比较信号，所述第二阶段电路用于根据所述比较信号输出所述比较信号对应的逻辑电平信号，以控制外部设备是否退出待机模式。

2.根据权利要求1所述的使能检测电路，其特征在于，所述偏置电流发生电路包括与所述待机电压输入接口连接的电流产生单元和与所述电流产生单元连接的电流传输单元；

所述电流传输单元与所述参考信号发生电路连接；

其中，所述电流产生单元用于基于所述待机电压产生偏置电流；

所述电流传输单元用于将所述偏置电流传输至所述参考信号发生电路。

3.根据权利要求2所述的使能检测电路，其特征在于，所述电流产生单元包括与待机电压输入接口连接的第一电阻，以及与所述第一电阻连接的电流产生电路；

其中，所述电流产生电路包括三极管和第二电阻，其中，所述三极管的集电极与所述第一电阻连接，所述三极管的发射极接地，所述三极管的基极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的使能检测电路，其特征在于，所述电流传输单元包括依次连接的第一MOS管和第二MOS管，其中，所述第一MOS管的栅极与所述三极管的集电极连接，所述第一MOS管的源极与所述第二电阻的一端连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极连接；

所述第二MOS管的栅极与源极连接，所述第二MOS管的源极与所述待机电压输入接口连接。

5.根据权利要求4所述的使能检测电路，其特征在于，所述参考信号发生电路包括串联连接的第三电阻和第三MOS管；

其中，所述第三MOS管与所述第二MOS管形成电流镜；

所述参考信号发生电路还包括设置在所述第三电阻和所述第三MOS管的连接通路上的参考信号输出接口；

所述参考信号输出接口与所述第一输入端连接，用于向所述第一输入端输出所述参考信号。

6.根据权利要求5所述的使能检测电路，其特征在于，所述第一阶段电路包括第一比较器功率管和第二比较器功率管；

所述第一比较器功率管的栅极与所述第一输入端连接；所述第一比较器功率管的漏极接地，所述第一比较器功率管的源极与所述第二比较器功率管的源极连接；

所述第二比较器功率管的栅极与所述第二输入端连接，以获取所述使能信号；

所述第二比较器功率管的漏极通过第四MOS管接地；

所述第一比较器功率管和所述第二比较器功率管的源极连接至第五MOS管，所述第五MOS管与所述第三MOS管和所述第二MOS管形成电流镜。

7.根据权利要求6所述的使能检测电路，其特征在于，所述第二阶段电路包括与所述第四MOS管镜像设置的第六MOS管；

所述第六MOS管的漏极还连接有第七MOS管，所述第七MOS管与所述第五MOS管形成电流镜；

所述第二阶段电路还包括信号增强输出电路；

所述信号增强输出电路的输入端连接至所述第六MOS管和所述第七MOS管的连接通路上，所述信号增强输出电路的输出端用于输出所述逻辑电平信号。