[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括钝化层、反射层和金属粘附层，其中：

所述钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层，所述金属粘附层包括第一子金属粘附层和第二子金属粘附层；

所述第一子金属粘附层设置在所述第一子钝化层上，所述反射层设置在所述第一子金属粘附层上，所述第二子金属粘附层设置在所述反射层上，所述第二子钝化层设置在所述第二子金属粘附层上。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层由SiO₂层、Ti₃O₅层、Al₂O₃层、TaO₂层或Nb₂O₅层中的任意两种膜层循环层叠而成。

3.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层中包括30～50层子反射层，任一所述子反射层的光学厚度为L，λ为倒装LED芯片发光结构发出的光的中心波长的四分之一，所述L与所述λ的关系为：L＝(2k+1)*λ，k∈N。

4.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一子钝化层和所述第二子钝化层的厚度均为

5.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一子金属粘附层和所述第二子金属粘附层的厚度均为

6.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一子金属粘附层和所述第二子金属粘附层均为Ti金属层、Ni金属层、Cr金属层中的一种或多种。

7.一种制备权利要求1至6任一项所述的倒装LED芯片的方法，其特征在于，包括以下步骤：

对待沉积钝化层的基底片源进行第一次冲水处理；

在第一次冲水处理后的基底片源上沉积第一子钝化层；

对所述第一子钝化层进行第二次冲水处理；

在第二次冲水处理后的第一子钝化层上蒸镀第一子金属粘附层；

对所述第一子金属粘附层进行第三次冲水处理；

对第三次冲水处理后的第一子金属粘附层进行离子源清洁；

在离子源清洁后的第一子金属粘附层上沉积反射层；

对所述反射层进行第四次冲水处理；

在第四次冲水处理后的反射层上蒸镀第二子金属粘附层；

对所述第二子金属粘附层进行第五次冲水处理；

在第五次冲水处理后的第二子金属粘附层上沉积第二子钝化层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一次冲水处理、所述第二次冲水处理、所述第三次冲水处理、所述第四次冲水处理和所述第五次冲水处理均包括以下步骤：

喷淋，将待沉积膜层的基底片源放入冲水槽中，向所述待沉积膜层的基底片源喷淋去离子水至充满所述冲水槽；

溢流和鼓泡，使所述冲水槽中的去离子水溢流30～60s，同时往所述冲水槽中通入氮气进行鼓泡；

排水，完成所述溢流和所述鼓泡后，将所述冲水槽中的去离子水排出；

循环进行所述喷淋、所述溢流、所述鼓泡和所述排水3～6次。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述沉积第一子钝化层和所述沉积第二子钝化层均包括：

在PECVD中，以280～320℃的温度、90～120Pa的压力、90～150W的功率、10～30sccm的硅烷气体流量、1000～1500sccm的一氧化二氮气体流量沉积所述第一子钝化层或所述第二子钝化层；

所述蒸镀第一子金属粘附层和所述蒸镀第二子金属粘附层均包括：

在电子束蒸发机台中，以10^-6～5×10^-5Pa的真空度、的蒸镀速率蒸镀所述第一子金属粘附层或所述第二子金属粘附层；

所述沉积反射层包括：

在离子源辅助电子束蒸发设备中，以900～1300V的离子枪电压、900～1300mA的离子枪电流、50～100sccm的氧气流量、5～15sccm的氩气流量沉积所述反射层。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述离子源清洁包括：

在离子源辅助电子束蒸发设备中，以600～800V的离子枪电压、500～800mA的离子枪电流、60～80sccm的氧气流量、5～10sccm的氩气流量对所述第一子金属粘附层清洗60～100s。