[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层，所述金属粘附层包括第一子金属粘附层和第二子金属粘附层；所述第一子金属粘附层设置在所述第一子钝化层上，所述反射层设置在所述第一子金属粘附层上，所述第二子金属粘附层设置在所述反射层上，所述第二子钝化层设置在所述第二子金属粘附层上。本发明通过在钝化层和反射层之间设置金属粘附层，增强钝化层和反射层之间的粘附强度，避免出现间隙，降低倒装LED芯片产品在固晶回流焊过程中的鼓泡率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种倒装LED芯片及其制备方法。

背景技术

倒装LED芯片产品中，一般通过在LED芯片的正面交替沉积若干高、低折射率的膜层作为反射结构，将MQW多量子阱层背向衬底一侧发出的光反射至从衬底射出，具有亮度高、发光角度大、成本低等优点；但是，倒装LED芯片产品在固晶回流焊的过程中，由于反射结构与氧化硅界面的粘附性较差，容易出现间隙，间隙容易受热膨胀，导致LED芯片产品表面发生鼓泡，进而导致LED芯片失效。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，通过在钝化层和反射层之间设置金属粘附层，增强钝化层和反射层之间的粘附强度，避免出现间隙，降低倒装LED芯片产品在固晶回流焊过程中的鼓泡率。

本发明提供了一种倒装LED芯片，包括钝化层、反射层和金属粘附层，其中：

所述钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层，所述金属粘附层包括第一子金属粘附层和第二子金属粘附层；

所述第一子金属粘附层设置在所述第一子钝化层上，所述反射层设置在所述第一子金属粘附层上，所述第二子金属粘附层设置在所述反射层上，所述第二子钝化层设置在所述第二子金属粘附层上。

具体的，所述反射层由SiO₂层、Ti₃O₅层、Al₂O₃层、TaO₂层或Nb₂O₅层中的任意两种膜层循环层叠而成。

具体的，所述反射层中包括30～50层子反射层，任一所述子反射层的光学厚度为L，λ为倒装LED芯片发光结构发出的光的中心波长的四分之一，所述L与所述λ的关系为：L＝(2k+1)*λ，k∈N。

具体的，所述第一子钝化层和所述第二子钝化层的厚度均为

具体的，所述第一子金属粘附层和所述第二子金属粘附层的厚度均为

具体的，所述第一子金属粘附层和所述第二子金属粘附层均为Ti金属层、Ni金属层、Cr金属层中的一种或多种。

本发明还提供了一种倒装LED芯片的制备方法，包括以下步骤：

对待沉积钝化层的基底片源进行第一次冲水处理；

在第一次冲水处理后的基底片源上沉积第一子钝化层；

对所述第一子钝化层进行第二次冲水处理；

在第二次冲水处理后的第一子钝化层上蒸镀第一子金属粘附层；

对所述第一子金属粘附层进行第三次冲水处理；

对第三次冲水处理后的第一子金属粘附层进行离子源清洁；

在离子源清洁后的第一子金属粘附层上沉积反射层；

对所述反射层进行第四次冲水处理；

在第四次冲水处理后的反射层上蒸镀第二子金属粘附层；