[发明专利]一种维持画素电极电势准位的阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 202310082142.6 | 申请日: | 2023-01-28 |
公开(公告)号: | CN116153942A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 毛清平 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;H01L21/77 |
代理公司: | 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 | 代理人: | 吴学林 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 维持 电极 电势 阵列 及其 制作方法 | ||
本发明涉及显示器技术领域,提供一种维持画素电极电势准位的阵列基板,包括:玻璃衬底;第一金属层,镀在所述玻璃衬底的上表面,形成了间隔分布的栅极、第一CK信号走线与第三CK信号走线;栅绝缘层,镀在所述玻璃衬底与所述第一金属层的上表面;画素电极,镀在所述栅绝缘层的上表面;第一电极块;第二电极块;第三电极块;有源层,镀在栅极绝缘层的上表面;第二金属层,镀在所述栅绝缘层的上表面,形成了间隔分布的源极、漏极与第一信号连接线;导电层,镀在所述钝化层的上表面。本发明的优点在于:导电层的电位高低与栅极的电位高低相反,栅极对于漏极的耦合效应和导电层对于漏极的耦合效应相互抵消,减小Feedthrough电压。
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,具体地涉及一种维持画素电极电势准位的阵列基板及其制作方法。
背景技术
对于TFT-LCD显示器而言,一般把与画素电极相连的TFT一侧叫做漏极,漏极与栅极金属之间形成的电容叫做寄生电容Cgd。TFT器件的栅极与横向分布的栅极线连接,用于控制TFT器件的开与关;TFT器件的源极与纵向分布的数据线连接,用于往TFT器件写入想要显示的数据电压;当TFT打开时,源极与漏极导通,数据电压进入漏极再由画素电极到达液晶电容Cst,调节液晶的透光率;当TFT关闭时,源极与漏极截止断开,源极的数据电压就不能进入漏极。源极的数据电压是呈周期性地正负极性变化,是使液晶产生正负极性的偏转电压。
结合图1与图2,在TFT关闭的瞬间,栅极电压Vg从高电平的Vhigh瞬间下降到低电平的Vlow,由于寄生电容Cgd的存在会将Vg的瞬间变化耦合到漏极,导致漏极电压下降,又由于此时TFT器件已关闭,画素电极与漏极之间产生的电压差会造成画素电极的电压发生跳变,这个跳变量ΔV我们称之为Feedthrough电压。在图2的波形图之中,Vg是栅极电压,Vd是理想状态的漏极电压,是实际提供的公共电极电压即实际提供的正负极性偏转电压的中心点,Vp(t)是实际的像素电极电压,Vcom是当前使液晶在正负极性状态下保持两端电压一样的理想状态的公共电极电压,Voffset是理想状态的公共电极电压与实际提供的公共电极电压的偏离量,Tf是TFT器件的开关周期,Vlc>Vcom是像素电极电压大于当前理想状态的公共电极电压的区域,Vlc<Vcom是像素电极电压小于当前理想状态的公共电极电压的区域。
如图2所示,由于Feedthrough电压的存在,会导致理想状态的公共电极Vcom点位偏离实际提供的正负极性偏转电压的中心位置,即理想状态的公共电极电压发生变化,但实际提供正负极性偏转电压不变,这就导致液晶在正负极性状态下的两端电压不一样,这样就会造成正负极性下液晶的偏转角度不一样,从而阵列基板的通光量不一样,造成液晶显示器画面的闪烁。所以减小Feedthrough电压是目前应该解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题,在于提供一种维持画素电极电势准位的阵列基板及其制作方法,通过在漏极上方设置导电层,导电层的电位高低与栅极的电位高低相反,栅极对于漏极的耦合效应和导电层对于漏极的耦合效应相互抵消,从而减小Feedthrough电压,维持画素电极电势准位。
本发明是这样实现的:
一种维持画素电极电势准位的阵列基板,包括:
玻璃衬底;
第一金属层,镀在所述玻璃衬底的上表面,形成了间隔分布的栅极、第一CK信号走线与第三CK信号走线,所述第一CK信号走线的电位高低与所述第三CK信号走线的电位高低相反;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的