[发明专利]显示装置的制造方法在审
| 申请号： | 202310083077.9 | 申请日： | 2023-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN116507180A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 三村寿文;小龟平章;石田有亲;福田加一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H10K71/00 | 分类号： | H10K71/00;H10K50/844 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置的制造方法，其中，准备在基板的上方形成有下电极、具有与所述下电极重叠的开口的肋部、和隔壁的处理基板，其中，所述隔壁包含配置在所述肋部之上的下部及配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部，
形成覆盖所述下电极的第1有机层、和与所述第1有机层分离并位于所述上部之上的第2有机层，
形成位于所述第1有机层之上并与所述下部相接的第1上电极、和与所述第1上电极分离并位于所述第2有机层之上的第2上电极，
形成位于所述第1上电极和所述第2上电极的上方并覆盖所述隔壁的封固层，
形成覆盖所述封固层的一部分的抗蚀剂，
以所述抗蚀剂为掩模进行各向异性干式蚀刻，减小从所述抗蚀剂露出的所述封固层的膜厚，
以所述抗蚀剂为掩模，使用氟系气体与氧的混合气体进行各向同性干式蚀刻，将从所述抗蚀剂露出的所述封固层除去。
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1有机层及所述第2有机层包含由同一材料形成的发光层。
3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述封固层由硅氮化物形成。
4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，所述封固层于120℃以下的温度形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，进行所述各向异性干式蚀刻的蚀刻反应气体不含氧。
6.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述混合气体中的氟系气体与氧的混合比以氟系气体:氧的体积比计为80:20～60:40的范围。
7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述各向同性干式蚀刻的处理时间比所述各向异性干式蚀刻的处理时间短。
8.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在形成所述封固层之前，进一步形成位于所述第1上电极之上的第1盖层、和与所述第1盖层分离并位于所述第2上电极之上的第2盖层。
9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1盖层及所述第2盖层是所述各向同性干式蚀刻时的蚀刻阻挡层。
10.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其中，在将所述封固层除去后，进一步以所述抗蚀剂为掩模进行蚀刻，将所述第2盖层的一部分、所述第2上电极的一部分及所述第2有机层的一部分除去。
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