[发明专利]芯片封装结构、电子设备和芯片封装结构的制作方法在审

专利信息
申请号: 202310085315.X 申请日: 2023-01-16
公开(公告)号: CN115939102A 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 金豆 申请(专利权)人: 维沃移动通信有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 代理人: 尚志峰;王丹玉
地址: 523863 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 电子设备 制作方法
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:

介电层,所述介电层上具有电路布线;

第一芯片,设置在所述介电层的一侧;

第一导电件,设置在所述第一芯片背离所述介电层的一侧;

第二芯片,设置在所述第一导电件背离所述第一芯片的一侧,所述第一芯片和所述第二芯片通过所述第一导电件电连接;

转接组件,一端和所述第一芯片电连接,另一端设置在所述介电层上,并和所述电路布线电连接;

封料件,将所述第一芯片、所述第一导电件、所述第二芯片和所述转接组件封装在内。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述介电层上设有凹槽,所述第一芯片设置于所述凹槽内。

3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述转接组件包括:

第一转接导电件,设置在所述介电层靠近所述第一芯片的一侧,并和所述电路布线电连接;

第二转接导电件,设置在所述第一芯片背离所述介电层的一侧,并和所述第一芯片电连接;

第三转接导电件,分别与所述第一转接导电件以及所述第二转接导电件电连接。

4.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述第一转接导电件远离所述介电层的一端、所述第二转接导电件远离所述介电层的一端分别与所述第二芯片远离所述介电层的一侧面齐平。

5.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述第三转接导电件为第三芯片。

6.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述第一芯片与所述介电层之间设有粘结剂层。

7.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构,其特征在于,还包括:

第二导电件,设置在所述介电层背离所述第一芯片的一侧,并和所述电路布线电连接。

8.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,还包括:

第一填胶,设置在所述第一芯片和所述第二芯片之间;

第二填胶,设置在所述第三转接导电件朝向所述介电层的一侧。

9.一种电子设备,其特征在于,包括:如权利要求1至8中任一项所述的芯片封装结构。

10.一种芯片封装结构的制作方法,其特征在于,包括:

提供介电层,所述介电层上具有电路布线;

在所述介电层上设置第一芯片、第二芯片和转接组件,并对所述第一芯片、所述第二芯片和所述转接组件进行封装,形成封料件;

其中,所述第一芯片位于所述第二芯片和所述介电层之间,所述第一芯片和所述第二芯片通过第一导电件电连接,所述转接组件的一端和所述第一芯片电连接,另一端和所述电路布线电连接。

11.根据权利要求10所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述提供介电层的步骤,具体包括:

提供所述介电层;

在所述介电层上设置凹槽,所述凹槽用于设置所述第一芯片。

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