[发明专利]非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括：

多个栅电极，每个所述栅电极在第一方向上延伸并且在第二方向上堆叠；

沟道结构，所述沟道结构在第一区域中沿所述第二方向延伸；

多个单元接触插塞，所述多个单元接触插塞包括第一单元接触插塞、第二单元接触插塞和第三单元接触插塞，所述多个单元接触插塞中的每一个单元接触插塞在第二区域中耦接到所述多个栅电极中的对应栅电极；

线性金属图案，所述线性金属图案在所述第一方向上延伸；以及

多个上接合焊盘，所述多个上接合焊盘包括第一上接合焊盘、第二上接合焊盘和第三上接合焊盘；以及

第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括：

多个下接合焊盘，所述多个下接合焊盘包括第一下接合焊盘、第二下接合焊盘和第三下接合焊盘；

第一外围电路元件，所述第一外围电路元件与所述沟道结构交叠；

第二外围电路元件，所述第二外围电路元件与所述多个单元接触插塞交叠；以及

第三外围电路元件，所述第三外围电路元件与所述多个单元接触插塞交叠，

其中，所述第一单元接触插塞通过所述线性金属图案、所述第一上接合焊盘和所述第一下接合焊盘耦接到所述第一外围电路元件，

其中，所述第二单元接触插塞通过所述第二上接合焊盘和所述第二下接合焊盘耦接到所述第二外围电路元件，

其中，所述第三单元接触插塞通过所述第三上接合焊盘和所述第三下接合焊盘耦接到所述第三外围电路元件，并且

其中，所述第二上接合焊盘在所述第一方向上的宽度不同于所述第三上接合焊盘在所述第一方向上的宽度，或者所述第二下接合焊盘在所述第一方向上的宽度不同于所述第三下接合焊盘在所述第一方向上的宽度。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第二上接合焊盘在所述第一方向上的宽度大于所述第一上接合焊盘在所述第一方向上的宽度。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第二下接合焊盘在所述第一方向上的宽度大于所述第一下接合焊盘在所述第一方向上的宽度。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一上接合焊盘和所述第一下接合焊盘在所述第一方向上具有第一宽度，

其中，所述第二上接合焊盘在所述第一方向上的宽度和所述第二下接合焊盘在所述第一方向上的宽度是第二宽度，并且

其中，所述第二宽度大于所述第一宽度。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述栅电极包括串选择线、多条字线和接地选择线，

其中，所述第一单元接触插塞耦接到所述串选择线，

其中，所述第二单元接触插塞耦接到所述多条字线中的一条字线和所述接地选择线，并且

其中，所述第三单元接触插塞耦接到所述多条字线中的另一条字线和所述接地选择线。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一外围电路元件、所述第二外围电路元件和所述第三外围电路元件提供行译码器。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一半导体芯片还包括：

第四上接合焊盘，所述第四上接合焊盘设置在所述第一区域中并且耦接到所述沟道结构中的第一沟道结构；以及

第五上接合焊盘，所述第五上接合焊盘设置在所述第一区域中并且耦接到所述沟道结构中的第二沟道结构，并且

其中，所述第二半导体芯片还包括：

第四下接合焊盘，所述第四下接合焊盘耦接到所述第四上接合焊盘；

第五下接合焊盘，所述第五下接合焊盘耦接到所述第五上接合焊盘；

第四外围电路元件，所述第四外围电路元件耦接到所述第四上接合焊盘；以及

第五外围电路元件，所述第五外围电路元件耦接到所述第五下接合焊盘，并且

其中，所述第四上接合焊盘在所述第一方向上的宽度不同于所述第五上接合焊盘在所述第一方向上的宽度，或者所述第四下接合焊盘在所述第一方向上的宽度不同于所述第五下接合焊盘在所述第一方向上的宽度。