[发明专利]显示装置的制造方法在审
申请号: | 202310087510.6 | 申请日: | 2023-01-19 |
公开(公告)号: | CN116504625A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 小川浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H10K59/131;H10K71/00;H10K59/35 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.显示装置的制造方法,所述显示装置在相邻的子像素的边界配置有隔壁,所述隔壁包含下部、和配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部,所述制造方法包括:
在基板的上方形成金属层,
在所述金属层之上形成所述上部,
通过各向异性蚀刻减小从所述上部露出的所述金属层的第1部分的厚度,
通过各向同性蚀刻减小位于所述上部的下方的所述金属层的第2部分的宽度,从而形成所述下部。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其包括:使所述第1部分的一部分残留并停止所述各向异性蚀刻,利用所述各向同性蚀刻除去该一部分。
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法,其包括:
基于所述各向异性蚀刻中产生的等离子体的光谱,对预先确定的端点进行检测,
相应于检测到所述端点而停止所述各向异性蚀刻。
4.如权利要求3所述的显示装置的制造方法,其包括:相应于因所述金属层的厚度被减小而所述等离子体的与所述金属层对应的光谱的发光强度发生了变化来检测所述端点。
5.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,所述金属层包含铝。
6.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,所述金属层包含第1铝层、和配置在所述第1铝层之上的第2铝层,
所述制造方法包括:
在所述第1部分中包含的所述第2铝层的全部被除去、并且所述第1部分中包含的所述第1铝层的一部分残留的状态下,停止所述各向异性蚀刻,
利用所述各向同性蚀刻除去所述第1铝层的所残留的所述一部分。
7.如权利要求6所述的显示装置的制造方法,其中,在所述第1铝层的上表面形成有氧化膜,所述氧化膜由所述第2铝层覆盖。
8.如权利要求7所述的显示装置的制造方法,其包括:
基于所述各向异性蚀刻中产生的等离子体的光谱,检测预先确定的端点,
相应于检测到所述端点而停止所述各向异性蚀刻。
9.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其包括:相应于所述光谱的发光强度因所述氧化膜而发生了变化来检测所述端点。
10.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其包括:以使所述上部从所述下部的侧面的突出量成为2.0μm以下的方式,在所述各向同性蚀刻中减小所述第2部分的宽度。
11.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其包括:
在所述金属层之上形成第1层,
在所述第1层之上形成第2层,
在所述第2层之上形成抗蚀剂,
利用将所述抗蚀剂作为掩模的蚀刻来除去所述第2层中的从所述抗蚀剂露出的部分,并且利用所述各向异性蚀刻来除去所述第1层中的从所述抗蚀剂露出的部分,由此形成包含所述第1层及所述第2层的所述上部。
12.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其包括:
在所述子像素中形成下电极,
形成覆盖所述下电极的有机层,
形成覆盖所述有机层并且与所述下部接触的上电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本显示器,未经株式会社日本显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310087510.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造