[发明专利]显示装置的制造方法在审
申请号: | 202310087510.6 | 申请日: | 2023-01-19 |
公开(公告)号: | CN116504625A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 小川浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H10K59/131;H10K71/00;H10K59/35 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
本发明涉及显示装置的制造方法。根据实施方式,制造方法是制造在相邻的子像素的边界配置有隔壁的显示装置的方法,所述隔壁包含下部、和配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部。该制造方法包括:在基板的上方形成金属层;在所述金属层之上形成所述上部;通过各向异性蚀刻减小从所述上部露出的所述金属层的第1部分的厚度;通过各向同性蚀刻减小位于所述上部的下方的所述金属层的第2部分的宽度,从而形成所述下部。
关联申请的交叉参照
本申请基于2022年1月27日提出申请的日本专利申请第2022-011095号主张优先权,并引用该日本专利申请所记载的全部记载内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置的制造方法。
背景技术
近年来,作为显示元件应用有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件具备下电极、覆盖下电极的有机层、和覆盖有机层的上电极。
在显示装置的制造时,通过蚀刻来形成各种要素。因此,通过提高蚀刻的精度,能够期待显示品质的提高。
发明内容
总体来讲,根据实施方式,制造方法是制造下述显示装置的方法,该显示装置在相邻的子像素的边界配置有隔壁,前述隔壁包含下部、和配置在前述下部之上并从前述下部的侧面突出的上部。该制造方法包括:在基板的上方形成金属层;在前述金属层之上形成前述上部;通过各向异性蚀刻减小从前述上部露出的前述金属层的第1部分的厚度;通过各向同性蚀刻减小位于前述上部的下方的前述金属层的第2部分的宽度,从而形成前述下部。
根据这样的制造方法,能提高蚀刻的精度。
附图说明
图1为示出第1实施方式涉及的显示装置的构成例的图。
图2是示出子像素的布局的一例的图。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的示意性剖视图。
图4为第1实施方式涉及的隔壁的示意性放大剖视图。
图5为示出第1实施方式涉及的显示装置的制造方法的一部分的示意性剖视图。
图6为示出接着图5的制造工序的示意性剖视图。
图7为示出接着图6的制造工序的示意性剖视图。
图8为示出接着图7的制造工序的示意性剖视图。
图9为示出接着图8的制造工序的示意性剖视图。
图10为示出第1实施方式涉及的各向异性干式蚀刻中的等离子体的发光强度的一例的图。
图11为第2实施方式涉及的显示装置所具备的隔壁的示意性剖视图。
图12为示出第2实施方式涉及的显示装置的制造方法的一部分的示意性剖视图。
图13是示出接着图12的制造工序的示意性剖视图。
图14是示出接着图13的制造工序的示意性剖视图。
图15是示出接着图14的制造工序的示意性剖视图。
图16是示出第2实施方式涉及的各向异性干式蚀刻中的等离子体的发光强度的一例的图。
具体实施方式
参照附图对几个实施方式进行说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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