[发明专利]一种套刻误差补偿模型参数配置方法及装置

说明书

本申请公开了一种套刻误差补偿模型参数配置方法及装置，根据预设的参数数量选择套刻误差补偿模型中的模型参数，获得配置后的套刻误差补偿模型。对套刻误差量测数据、配置后的模型和配置后的模型的参数值进行计算，以获取表征量，并将表征量和套刻误差量测数据进行求差处理，获得表征残值。将表征残值进行归一化处理，获得配置后模型的评价参数。根据预设的参数数量选择不同的模型参数，以获取配置后的模型的集合，并对配置后的模型的集合进行迭代处理，获得评价参数集合。根据评价参数集合中最小的评价参数，获得优化后的套刻误差补偿模型。评价参数最小的模型参数配置最优，针对性的提高了模型的补偿精度。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种套刻误差补偿模型参数配置方法及装置。

背景技术

套刻误差(Overlay)是指光刻过程中当前层与前层之间的偏移量，随着集成电路制造工艺的发展，对于套刻误差的控制要求也越来越严格，套刻误差过大会导致器件的短路和断路，影响产品的质量。然而套刻误差与掩模、晶圆的形变，光刻机投影系统自身，以及晶圆工件台的位移不一致性等诸多因素有关，同时外界环境因素也会对其产生影响，如温度、湿度、振动等。

现在技术中通过先进控制(英文：advanced process control，APC)系统对套刻误差进行修正，APC系统中有多种套刻误差补偿模型，根据量测数据和预设套刻误差补偿模型进行计算，通过算法拟合获得模型参数，通过模型参数进行后续的修正。

在现有的套刻误差补偿模型中具有一定数量的参数，在补偿时会反馈所选择模型中的所有参数项。然而，由于不同类型的产品或工艺对套刻误差影响的因素并不完全相同，都采用相同的模型参数配置进行补偿，套刻误差补偿模型的补偿精度差，从而导致无法获得最佳的补偿效果。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种套刻误差补偿模型参数配置方法及装置，旨在提高套刻误差补偿模型的补偿精度。

第一方面，本申请实施例提供了一种套刻误差补偿模型参数配置方法，所述方法包括：

根据预设的参数数量选择套刻误差补偿模型中的模型参数，获得配置后的套刻误差补偿模型；

对套刻误差量测数据、所述配置后的套刻误差补偿模型和所述配置后的套刻误差补偿模型的参数值进行计算，以获取所述配置后的套刻误差补偿模型的表征量，并将所述套刻误差量测数据和所述表征量进行求差处理，获得表征残值；

对所述表征残值进行归一化处理，获得所述配置后的套刻误差补偿模型的评价参数；

根据预设的参数数量选择不同的所述模型参数，以获取所述配置后的套刻误差补偿模型的集合，并对所述配置后的套刻误差补偿模型的集合进行迭代处理，获得所述配置后的套刻误差补偿模型的评价参数集合；

根据所述评价参数集合中最小的评价参数，获得优化后的套刻误差补偿模型。

可选地，所述套刻误差量测数据包括曝光场内的坐标位置、曝光场间的坐标位置和相应位置上套刻标识所表征的套刻误差。

可选地，所述表征量的获得步骤，具体为：

对所述曝光场内的坐标位置、所述曝光场间的坐标位置、所述配置后的套刻误差补偿模型和所述配置后的套刻误差补偿模型的参数值进行计算，获得所述配置后的套刻误差补偿模型的表征量。

可选地，所述表征残值的获得步骤，具体为：

将所述相应位置上套刻标识所表征的套刻误差和所述表征量进行求差处理，获得所述表征残值。

可选地，所述根据预设的参数数量选择套刻误差补偿模型中的模型参数，获得配置后的套刻误差补偿模型，还包括：

通过参数系数和所述预设的参数数量选择所述套刻误差补偿模型中的模型参数，获得所述配置后的套刻误差补偿模型。