[发明专利]包括电介质结构的场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管FET(100)，包括：

第一导电类型的源极区(102)，其在半导体本体(108)的第一表面(106)处电连接到源极电极(104)；

第一导电类型的漏极区(110)，其在第一表面(106)处电连接到漏极电极(112)；

电介质结构(114)，其沿着第一横向方向(x1)在源极区(102)和漏极区(110)之间，电介质结构(114)包括：在第一表面(106)上的栅极电介质(1141)；以及具有在第一表面(106)下方的底部侧(115)的场电介质结构(1142)；

栅极电介质(1141)上的栅极电极(118)，其中栅极电极(118)和场电介质结构(1142)被沿着第一横向方向(x1)彼此间隔开；

场电极(120)，其具有在场电介质结构(1142)的顶部侧(116)下方的底部侧(121)。

2.根据前项权利要求所述的FET(100)，进一步包括层间电介质结构(134)，其被布置在电介质结构(114)和半导体本体(108)的第一表面(106)上方的布线区域的第一布线层级(136)之间，第一布线层级(136)是最靠近半导体本体(108)的第一表面(106)的布线区域的布线层级。

3.根据前述权利要求中的任何一项所述的FET(100)，其中场电极(120)是与栅极电极(118)电分离的。

4.根据前述权利要求中的任何一项所述的FET(100)，其中场电介质结构(1142)是浅沟槽隔离STI或硅的局部氧化LOCOS。

5.根据前项权利要求所述的FET(100)，其中场电介质结构(1142)是STI，并且场电极(120)的底部侧(121)位于第一表面(106)下方。

6.根据前述权利要求中的任何一项所述的FET(100)，其中场电极(120)被电连接到源极电极(104)。

7.根据前述权利要求中的任何一项所述的FET(100)，进一步包括第二导电类型的本体区(123)和第二导电类型的深本体区(124)，其中本体区(123)被布置在栅极电介质(1141)和深本体区(124)之间，并且其中深本体区(124)和场电介质结构(1142)沿着第一横向方向(x1)部分重叠。

8.根据前述权利要求中的任何一项所述的FET(100)，进一步包括在源极区(102)和漏极区(110)之间的第一导电类型的漏极延伸区(126)，其中漏极延伸区(126)适配于在从5V至200V的范围内的漏极到源极击穿电压。

9.根据前项权利要求所述的FET(100)，其中深本体区(124)和漏极延伸区(126)沿着第一横向方向(x1)部分重叠。

10.根据前述权利要求中的任何一项所述的FET(100)，其中电介质结构(114)进一步包括在第一表面(106)上的平面电介质(1143)，平面电介质(1143)被沿着第一横向方向(x1)布置在栅极电介质(1141)和场电介质结构(1142)之间，并且具有比栅极电介质(1141)大的厚度。

11.根据前项权利要求所述的FET(100)，其中平面电介质(1143)的厚度(t1)超过栅极电介质(1141)的厚度(t2)100％至600％。

12.根据前述两项权利要求中的任何一项所述的FET(100)，其中栅极电极(118)被布置在平面电介质(1143)的至少一部分上。

13.根据前述三项权利要求中的任何一项所述的FET(100)，其中平面电介质(1143)在第一横向端部处直接邻接场电介质结构(1142)，并且在与第一横向端部相对的第二横向端部处直接邻接栅极电介质(1141)。