[发明专利]包括电介质结构的场效应晶体管

说明书

公开了包括电介质结构的场效应晶体管。提出了一种场效应晶体管FET(100)。FET(100)包括第一导电类型的源极区(102)，其在半导体本体(108)的第一表面(106)处电连接到源极电极(104)。FET(100)进一步包括第一导电类型的漏极区(110)，其在第一表面(106)处电连接到漏极电极(112)。电介质结构(114)被沿着第一横向方向(x1)布置在源极区(102)和漏极区(110)之间。电介质结构(114)包括在第一表面(106)上的栅极电介质(1141)和具有在第一表面(106)下方的底部侧(115)的场电介质结构(1142)。FET(100)进一步包括在栅极电介质(1141)上的栅极电极(118)。栅极电极(118)和场电介质结构(1142)被沿着第一横向方向(x1)彼此间隔开。FET(100)进一步包括场电极(120)，其具有在场电介质结构(1142)的顶部侧(116)下方的底部侧(121)。

技术领域

本公开涉及一种半导体器件，特别是涉及一种包括电介质结构的场效应晶体管FET。

背景技术

新一代半导体器件(例如场效应晶体管(FET))的技术发展目的在于通过缩小器件几何尺寸来改进电器件特性并且降低成本。虽然通过缩小器件几何尺寸可以降低成本，但是当增加每单位面积的器件功能性时必须满足各种折衷和挑战。例如，在特定面积导通状态电阻R_onxA、开关效率和受例如热载流子引发(HCI)的效应影响的可靠性要求之间的折衷要求设计优化。

因此，存在针对改进的场效应晶体管的需要。

发明内容

本公开的示例涉及一种场效应晶体管FET。FET包括第一导电类型的源极区，其在半导体本体的第一表面处电连接到源极电极。FET进一步包括第一导电类型的漏极区，其在第一表面处电连接到漏极电极。FET进一步包括在源极区和漏极区之间沿着第一横向方向的电介质结构。电介质结构包括在第一表面上的栅极电介质和具有在第一表面下方的底部侧的场电介质结构。FET进一步包括在栅极电介质上的栅极电极。栅极电极和场电介质结构被沿着第一横向方向彼此间隔开。FET进一步包括场电极，其具有在场电介质结构的顶部侧下方的底部侧。

本领域技术人员在阅读以下详细描述并且查看随附附图时将认识到附加特征和优点。

附图说明

随附附图被包括以提供对实施例的进一步理解，并且被合并在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示半导体器件的示例，并且与描述一起用于解释示例的原理。在以下详细描述和权利要求中描述了进一步的示例。

图1至图3是用于图示包括延伸到场电介质结构的凹部中的场电极的FET的示例的部分横截面视图。

图4是用于图示沿着图3的线AA′的竖向掺杂浓度分布的示意图。

图5是用于图示场电极在场电介质结构上的示例性布置的示意性顶视图。

具体实施方式

在以下详细描述中参照随附附图，随附附图形成在此的一部分并且其中通过图示方式示出FET的具体示例。要理解的是在不脱离本公开的范围的情况下可以利用其它示例并且可以作出结构或逻辑上的改变。例如，针对一个示例图示或描述的特征可以与其它示例结合使用，以产生又一进一步的示例。本公开旨在包括这样的修改和变化。使用特定语言描述了示例，这些语言不应当被解释为限制所附权利要求的范围。附图并非是按比例的，并且仅用于说明的目的。如果没有另外说明，则在不同的附图中对应的要素由相同的参考符号指明。

术语“具有”、“包含”、“包括”和“包括有”等是开放的，并且术语指示所声明的结构、要素或特征的存在，但是不排除附加的要素或特征的存在。数量词“一”、“一个”和指代词“该”旨在包括复数以及单数，除非上下文另外清楚地指示。