[发明专利]微同轴结构和微同轴结构的制造方法

权利要求书

1.一种微同轴结构，其特征在于，包括：

衬底；

底层金属层，形成于所述衬底；

支撑墩，形成于所述底层金属层；

中间金属层组，连接于所述底层金属层和所述支撑墩；

顶层金属层，连接于所述中间金属层组；

其中，所述底层金属层、所述中间金属层组和所述顶层金属层围设形成非矩形空腔结构。

2.根据权利要求1所述的微同轴结构，其特征在于，所述中间金属层组包括：

多个中间金属层，每个所述中间金属层的内侧壁倾斜角度不同。

3.根据权利要求2所述的微同轴结构，其特征在于，

所述中间金属层的数量为三个，分别为第一金属层、第二金属层和第三金属层；

其中，所述第一金属层连接于所述底层金属层，所述第一金属层和所述支撑墩之间的夹角为110°至130°；

所述第二金属层分别连接于所述第一金属层和所述支撑墩，所述第二金属层与所述支撑墩之间的夹角为80°至100°；

所述第三金属层分别连接于所述第二金属层和所述顶层金属层，所述第三金属层与所述支撑墩之间的夹角为50°至70°。

4.根据权利要求3所述的微同轴结构，其特征在于，

所述底层金属层、所述中间金属层和所述顶层金属层均采用同一种金属材料制成。

5.一种微同轴结构的制造方法，用于制造如权利要求1至4中任一项所述的微同轴结构，其特征在于，包括：

在所述衬底上形成所述底层金属层；

在所述底层金属层上形成所述支撑墩；

在所述底层金属层和所述支撑墩上形成所述中间金属层组；

在所述中间金属层组上形成所述顶层金属层；

其中，所述底层金属层、所述中间金属层组和所述顶层金属层围设形成非矩形空腔结构。

6.根据权利要求5所述的微同轴结构的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成所述底层金属层的步骤包括：

在所述衬底上形成第一种子层以及第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行曝光以及显影；

在显影后露出的所述第一种子层表面使用电镀工艺形成所述底层金属层。

7.根据权利要求5所述的微同轴结构的制造方法，其中，所述中间金属层组包括：所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层，其特征在于，所述在所述底层金属层和所述支撑墩上形成所述中间金属层组的步骤包括：

在所述底层金属层上形成第二光刻胶层；

调整光源的入射角度对所述第二光刻胶层进行曝光以及显影；

在显影后露出的所述底层金属层表面使用电镀工艺形成所述第一金属层；

在所述第一金属层和所述支撑墩上形成第二种子层和第三光刻胶层；

调整光源的入射角度对所述第三光刻胶层进行曝光以及显影；

在显影后露出的所述第二种子层上使用电镀工艺形成所述第二金属层；

在所述第二金属层上形成第四光刻胶层；

调整光源的入射角度对所述第四光刻胶层进行曝光以及显影；

在显影后露出的所述第二金属层表面使用电镀工艺形成所述第三金属层；

其中，所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层相对于所述支撑墩的夹角均不同。

8.根据权利要求7所述的微同轴结构的制造方法，其特征在于，所述在所述中间金属层组上形成所述顶层金属层的步骤包括：

在所述第三金属层上形成第三种子层和第五光刻胶层；

对所述第五光刻胶层进行曝光以及显影；

在显影后露出的所述第三种子层表面使用电镀工艺形成所述顶层金属层。

9.根据权利要求7所述的微同轴结构的制造方法，其特征在于，还包括：

对生成的所述底层金属层、所述中间金属层组和所述顶层金属层进行CMP工艺处理。

10.根据权利要求5所述的微同轴结构的制造方法，其特征在于，还包括：

采用湿法工艺对所述微同轴结构残余的光刻胶进行去除。